一种改进的WOx忆阻器模型及其突触特性分析.pdfVIP

物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 14 (2015) 148501 一种改进的WO 忆阻器模型及其突触特性分析 孟凡一 段书凯 王丽丹 胡小方 董哲康 1)(西南大学电子信息工程学院, 重庆 400715) 2)(香港城市大学机械与生物医学工程系, 香港 999077) ( 2014 年12 月19 日收到; 2015 年3 月16 日收到修改稿) 忆阻器被定义为第四种基本电子元器件, 其模型的研究呈现多样性. 目前, 忆阻器模型与忆阻器实际特 性的切合程度引起了研究者的广泛关注. 通过改变离子扩散项, 提出了一种新的WO 忆阻器模型, 更好地匹 配了忆阻器的实际行为特性. 首先, 新的模型不仅能够描述忆阻器的一般特性, 而且能够俘获记忆丢失行为. 另外, 将新的忆阻器作为神经突触, 分析了脉冲速率依赖可