基于变分法的准二维MOSFET阈值电压的解析模型-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的 研究成果．据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其 他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得 或其他教育机构 的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均 已在论文中作了明确的说明并表示谢意． 学位论文作者签名：乡13台么径 签字日期： 知．，年广月加日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解 有关保留、使用学位论文的规定， 有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和 借阅。本人授权 可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行 检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文． (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名：美p各剜乏 导师签名：瞎5马祸 签字日期：M l 1年岁月阳日 签字日期：砌f f年箩月庇日 学位论文作者毕业去向： 工作单位： 电话： 通讯地址： 邮编： ffllIIfIi|IiJJI㈣ⅧⅢ川圳『IfffffIIf＼1 ffllIIfIi|IiJJI㈣ⅧⅢ川圳『IfffffIIf ＼1 974586 摘要 随着半导体技术的迅猛发展，集成电路迈向超大集成度、更快速、更大信息 存储量的步伐逐渐加快，为了满足这些日益发展的需求，作为集成电路基本单元 的MOS器件的尺寸也必须持续缩小。随之而来的是MOS器件中沟道长度的不 断缩小，此时器件的电学特性已经不能简单的再用传统的一维方法进行分析，由 此出现了诸多的二维分析法。 本文针对以上情况，首先建立普通的MOS模型，用半导体表面载流子与电 场的作用能建立了载流子的能量积分，并证明了准二维阈值电压的微分方程是能 量积分的近似情况。再通过直接变分的方法求解了MOSFET表面势的表达式， 由此得到了一个简单的超深亚微米MOSFET的阈值电压表达式。另外，用同样 的方式对LDMOS模型建立积分并且求解得到它的阚值电压表达式。这样，我们 从理论上证明了本文提出的准二维变分法对于不同的MOS模型同样具有适用 性。 我们用Medici软件在同一模型中用不同的参数进行仿真和表达式计算，得 出的结果高度一致。我们对ADS中的特定型号的MOS管进行参数提取，并在 同一参数下利用ADS和Medici软件对该MOS管进行仿真，得出的阈值电压值 也和利用阈值表达式计算得出的结果高度吻合。我们也证明了准二维阈值电压微 分方程是能量积分变分结果的特殊情况，从而说明了能量积分的变分是一个高精 度的解。 关键词：MOSFET、LDMOSFET、变分法、阈值电压 Abstract Abstract 嚣≯^Ⅵ，》 Abstract With the rapid development of semiconductor technology，integrated circuits 一}l《： become more integrated，faster and greater information storage capacity．In order to meet these growing needs，MOS devices，the basic unit of integrated circuits，must continually shrink their size and channel length．The electrical properties of these devices cannot be simply analyzed by traditional one-dimensional methods now，and hence lots of two—dimensional methods have emerged． In this paper,we first established a normal MOS model，and then use the interaction of carriers on semiconductor surface and electric field to established energy integral of carriers．We proved that differential equations about ： quasi-two—dimensional threshold voltage are the approximate case of the energy } integral．After that，we use the methods of di