格子整合と格子不整合-J-Stage.PDF

基 礎 講 座 〈半導体ヘテロ接合の基礎〉 格子整合と格子不整合 〈基礎編〉 竹 田 美 和 第2回講座の 「ヘテロ界面とバンド不連続」では,格子整合したヘテロ接合でかつ界面に欠陥などが ない場合におけるバンド不連続について述べた.第3回 では,格子整合したヘチロ界面はどのようにし て形成するのか,また形成の仕方がバンド不連続に及ぼす影響について述べる.格子不整合がある場合 でも,条件しだいでは面内の格子間隔を合わせ不整合転位のないヘテロ接合を形成することができる. このときに生じる圧縮応力や引張り応力によるバンド構造およびバンド不連続の変化について述べる. ヘテロ界面とバンド不連続についていくつかの代表例を取り上げて説明する. Keywords: heterointerface, lattice-matching, lattice-mismatching, coherent growth, lattice-distor- tion, band structure, band discontinuity とGeは 後で格子不整合系の例 として述べる. 1.ま え が き 一方 ,き わめて近い格子定数をもつ半導体 もある.例 え 第2回 講座では,半 導体同士のヘテロ接合で,界 面に欠 陥がない理想的なヘテロ界面を考えた.こ のようなヘテロ 接合を形成するためには,一 般に格子定数が等しく,か つ は,ま ず大成功をおさめたIII-V族 間の格子整合系ヘテロ 接合について述べる. GeとGaAs, GaAsとZnSeの ような 同じ族の半導体同士(例 えば, III-V族 とIII-V族,あ るい はII-VI族 とII-VI族)で あることが必要である.同 じ族の 異なる族間のヘテロ接合では,界 面で種々の問題が生じる 半導体同士で,格 子定数が等しいヘテロ接合(格 子整合系 ので2.2節 で別途述べる. とよぶことにする)を 形成する方法について述べ,次 いで 格子整合系であるが異なる族間のヘテロ接合では何が問題 2.1同 族半導体間のヘテロ接合 であるかについて述べる. GaAsとAIAsはIII-V族 同士のヘテロ接合の代表例で 格子定数が異なるヘテロ接合(格 子不整合系とよぶこと ある.ま た, AlxGa1-xASは 全率固溶で,全 組成にわたって にする)の 場合でも条件次第では,面 内の格子間隔を一致 GaAsに 格子整合する.蒸 気圧の高いAsを 共通にもち,蒸 させ,面 に垂直方向に格子をひずませて,界 面に不整合転 気圧の低い金属GaにAlを 加えるだけでGaAsか ら全組 位を発生させないで形成することができる.そ のためには 成のAIGaAsが 液相エピタキシャル法(LPE),分 子線エピ どのような条件を満たす必要があるか,格 子のひずみをど タキシャル法(MBE),有 機金属気相