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基于单室沉积微晶硅电池的硅薄膜叠层太阳电池研究-信号与通信工程;信号与信息处理专业论文.docxVIP

基于单室沉积微晶硅电池的硅薄膜叠层太阳电池研究-信号与通信工程;信号与信息处理专业论文.docx

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南开大学学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所 南开大学学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下进行研究工作所 的研究成果。除文中已经注明引用的内容外,本学位论文的研究成果不包 含任何他人创作的、已公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所 涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本 学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。 学位论文作者签名: 郄耘霞 2011年6月2日 非公开学位论文标注说明 (本页表中填写内容须打印) 根据南开大学有关规定,非公开学位论文须经指导教师同意、作者本人申 请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文,公开学位论文本 说明为空白。 基于单室沉积微晶硅电池的硅薄膜叠层太阳电 论文题目 池研究 申请密级 口限制(≤2年) 口秘密(≤10年) 口机密(≤20年) 保密期限 20 年 月 日至20 年 月 日 审批表编号 批准日期 20 年 月 日 南开大学学位评定委员会办公室盖章(有效) 注:限制★2年(可少于2年):秘密★10年(可少于10年):机密★20年(可少于20年) 摘要摘要 摘要 摘要 提高转换效率、降低成本是目前研究硅基薄膜太阳电池的两个关键问题。 基于微晶硅电池的硅薄膜叠层电池可进一步拓宽硅薄膜电池的光谱吸收范围, 提高其转换效率。单室沉积硅薄膜电池可大幅降低设备制造及维护成本。因此 单室沉积硅基薄膜叠层太阳电池成为目前国际研究热点。本论文在比较成熟的 非晶硅电池以及产业化单室制备的非晶硅/j乍晶硅叠层太阳电池基础上,开展基 于单室沉积微晶硅电池的硅薄膜叠层太阳电池的研究工作。论文的主要内容与 研究成果如下: 一、研究了前氢等离子体处理对微晶硅薄膜初始生长阶段的影响,结合拉 曼光谱和原子力显微镜的测试结果进行了相关的理论分析。通过对本征层材料 的纵向结构及p/i界面的调控,实现了对单结微晶硅电池开路电压和短路电流的 有效控制。 l、针对微晶硅薄膜初始阶段生长对随后体材料的生长以及对pi.n型电池 p/i界面的影响,本论文提出采用前氢等离子体处理方法增加微晶硅薄膜生长初 始阶段的成核密度,以使材料结构更为致密、改善纵向结构特性、降低非晶孵 化层厚度。 2、针对本征层材料纵向结构特性对微晶硅太阳电池性能的影响,本论文通 过调节微晶硅电池中本征层材料沉积参数(硅烷浓度和辉光功率),实现对本征 微晶硅薄膜纵向结构的调控。结果发现:电池性能主要取决于电池纵向结构的 有效控制,开路电压和短路电流密度与p/i界面和本征层的初始生长有关。该结 果对基于微晶硅基叠层电池的研究奠定了很好的基础。 3、通过对电池本征层材料特性的优化、p/i界面污染的控制以及合理陷光 结构的采用,在具有一定绒度的ZnO衬底上获得了光电转换效率达7.47%的单 室沉积的单结微晶硅太阳电池。 二、对基于单室沉积微晶硅太阳电池的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池进行了 研究。 l、电流匹配是影响叠层电池转换效率的关键因素。本论文在固定顶电池厚 度情况下,通过调节底电池的厚度,达到叠层电池电流的匹配。 摘要2、在电流基本匹配的情况下,通过调节底电池反应气体的硅烷浓度,进一 摘要 2、在电流基本匹配的情况下,通过调节底电池反应气体的硅烷浓度,进一 步优化叠层电池性能。 3、通过优化不同的微晶硅底电池本征层预氢等离子体辉光时间,控制电池 p/i界面特性,使电池的开路电压和转换效率得到了提高。 4、采用ZnO/AI复合背反射电极,|C1112单室沉积非晶硅/微晶硅叠层太阳电 池的初始转换效率为11.04%;100cm2单室沉积非晶硅/微晶硅叠层电池组件的 初始转换效率为9.53%。 三、在单室中制备非晶硅/非晶硅/微晶硅三结叠层太阳电池。 1、基于规模化生产的单室沉积的非晶硅/非晶硅叠层电池,本论文提出引 入单室沉积的微晶硅电池,以进一步提高其转换效率。通过对生产线上单室制 备的非晶硅/非晶硅叠层电池进行氢等离子体处理刻蚀非晶矗,然后沉积微晶n, 达到与底电池形成良好的隧穿结。 2、通过优化I岫隧穿结以及微晶硅底电池的沉积条件,采用ZnO/A1复合 背反射电极,制备出初始转换效率为9.52%单室沉积的非晶硅月乍晶硅/微晶硅三 结叠层太阳电池。将生产线上的单室沉积的非晶碰非晶硅叠层电池效率,提高 了两个多百分点。 关键字:太阳电池,单室沉积,微晶硅,硅薄膜叠层电池,隧穿结 II AbstractAbstract Abstract Abstract For silicon thin fill solar cells,hilgh photoelectric conversion efficiency of the

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