溅射和退火工艺参数对多晶硅薄膜结构和性能的影响-材料科学与工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Classified Index: TM23 U.D.C.: 31. Dissertation for the Master Degree of Engineering THE EFFECT OF MAGNETRON SPUTTERING AND ANNEALING PARAMETERS ON THE MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF POLYCRYSTAL-Si FILM Candidate： Wang Zong Supervisor： Prof. Li Hongtao Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Materials Science and Engineering School of Materials Science and Affiliation： Engineering Date of Defence： July, 2014 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 摘 要 硅以其成熟的生产工艺、较高的光电转换效率和无毒无害等优势成为了光伏 产业的主要原材料。目前生产的硅太阳能电池成本较高。为了降低成本，研究高 性能的硅薄膜太阳能电池具有重要意义。同时，薄膜的制备技术有很多种，磁控 溅射法沉积薄膜速率快、成本低、设备简单。如果能用磁控溅射法制备硅薄膜太 阳能电池，这将能降低太阳能电池的成本。因此，本论文利用磁控溅射技术在 p 型单晶硅衬底上制备 n 型硅薄膜，再进行退火处理使薄膜晶化，形成单晶硅/多晶 硅 p-n 结。分别对薄膜的结构、形貌以及 p-n 结的性能等进行表征。主要研究内容 如下： 溅射工艺参数对 n 型 Si 薄膜的结构和成分的影响：以重掺硼的 p 型单晶 Si 为 衬底，重掺磷的 n 型单晶硅为靶材，利用磁控溅射方法在不同溅射工艺参数下获 得了 n 型 Si 薄膜。所制备的 Si 膜层均为非晶结构，其中，衬底加热有利于薄膜的 晶化。Si 薄膜的表面粗糙度和沉积速率均受溅射功率和溅射气压的影响。此外， 溅射功率和溅射气压也影响 n 型 Si 薄膜中 P 的掺杂。 退火工艺参数对 n 型多晶硅薄膜的结构和性能的影响：将在 p 型单晶硅衬底 上制备的 n 型硅薄膜在氩气的保护下采用不同的温度进行退火处理。退火温度越 高，薄膜的晶化程度越好，1000℃退火处理的薄膜晶粒度在 10nm 左右。高温退火 后，n 型 Si 薄膜中的杂质 P 能很好的进入晶格中。另外，退火温度对薄膜表面形 貌和薄膜的光学性能也有一定的影响。 单晶硅/多晶硅 p-n 结的制备和性能研究：分别在 p 型硅和 n 型硅薄膜上镀上 Al 电极，对 Si/Al 欧姆接触进行研究，发现 Si 和 Al 之间 500℃退火处理后，由于 Al 的尖楔现象导致 p-n 结短路。于是在 400℃制备出良好的 Si/Al 欧姆接触。由于 p-n 结的掺杂浓度较高，制备的 p-n 结的势垒区较小。 关键词：磁控溅射；退火；p-n 结；太阳能电池 I - Abstract Silicon has become a main raw material in photovoltaic industry with its mature production technology, high photoelectric conversion efficiency and the advantages of non-toxic material. At present, the cost of production of silicon solar cells is higher. To reduce costs, the study of high performance silicon thin film solar cell is important. Meanwhile, there are many techniques to prepare the film, and the advantages of magnetron sputtering deposition film are fast speed、low cost、simple equipment. If we can fabricate silicon thin film solar cells with magnetron sputtering, it will be able t