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第3章 硅氧化;（2） 膜结构 膜结构：晶态和非晶态（无定形）的密度分别为 和 热氧化生成的 膜结构：非晶态，湿氧化结构比干氧化结构稀疏 ;（3）生长动力学 定义： 为氧化物表面附近氧化剂分子平衡浓度 为硅表面附近氧化剂分子浓度 为氧化物中氧化剂分子浓度 其中：干氧化时氧分子在氧化物中的浓度为 湿氧化时 分子在氧化物中的浓度为 则右图中氧化剂扩散过 层流量 为： （3-1）;式中 为氧化剂的扩散系数， 为已存在的氧化层厚度。 氧化剂与硅发生反应产生的流量 为： （3-2） 式中 为表面反应速率常数???具有速率量纲）。 稳态时， ，联立上两式： ;当氧化物厚度为 时，氧化层生长速率 为： 当 时，氧化物初始厚度为 ，干氧氧化时 ，从上 式可解出： （3-3） 式中 ，物理意义为 引起的时间坐标平移。 从式（3-3）可得： （3-4） ;【分析】 当 时，式（3- 4）作泰勒展开，可简化为： （3-5） 对应于氧化物生长初期， 限制了生长速率，出现线性型生长关系。 当 时，式（3- 4）可简化为： （3-6） 对应于氧化物生长后期， 限制了生长速率，出现抛物线型生长关系。;紧凑形式 在式（3-3）中，令 ，抛物线率常数 ， 线性率常数 ，则式（3-3）（3-5）（3-6）可写成 紧凑式： （3-7） （3-8） （3-9）;（4）结果讨论 线性率常数 具有 形式（ 为激活能），并取决于单晶硅晶向。 【实验结果】 具有激活能函数形式，且 。 （接近 键能 ） 【推论】由于 与氧原子和硅晶格反应速率 有关，也即与硅表面键结构有关，从而 与晶向有关；由于111