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- 2019-02-21 发布于湖北
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自编程就是用户进行的flash 存储器写操作。
Block 号,是进行擦写和非空检查操作的单元。
入口ram ,是flash 存储器自编程样例库所使用的RAM 区域。用户程序需要保留着块区域,
当调用库时,需要指定这片区域的起始地址。
内部验证,再写入到flash 存储器后,信号电平会内部检查,确认读到正确的数据。内部验
证错误时,对应的设备被认为有错。
第一章
自编程样例库是78K0/KX2 提供的固件以及用来给flash 存储器重写数据的软件。
用户程序通过调用自编程样例库,可以改写flash 存储器的内容,从而,加快软件开发。
注意:
1 自编程样例库重写flash 存储器,需要使用KX2 的CPU,寄存器和RAM ,在运行自编程
样例库时用户程序无法执行。
2 自编程样例库使用CPU (寄存器bank3 )和工作区域 (入口RAM 区100 字节)。于是,
用户调用自编程样例库之前必须自行保存此区域内的用户程序数据。
C 和汇编中都可以调用自编程样例库。
如果C 文件编译时使用-SM 参数(把目标作为静态模式),用静态模式连接库。如果不用-SM,
库调用采用正常模式。
如果源文件是汇编格式,只能用静态模式连接库。
自编程的流程
1 FLMD0 引脚拉高。
2 Flashstart
3 设置操作环境
4 Fla
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