溶胶凝胶法制备以Al2O3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管.PDF

第３７卷　第１期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３７ Ｎｏ１ ２０１６年１月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｊａｎ．，２０１６ 文章编号∶１０００７０３２（２０１６）０１００５００６ 溶胶凝胶法制备以ＡｌＯ 为界面修饰层的 ２ ３ 铪铟锌氧薄膜晶体管 １，２ １，２ ２ ２ 高娅娜 ，许云龙 ，张建华 ，李喜峰 （１．上海大学 材料科学与工程学院，上海　２０００７２； ２．上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室，上海　２０００７２） 摘要：利用溶液法制备了以ＨｆＳｉＯ为绝缘层、ＨｆＩｎＺｎＯ为有源层、ＡｌＯ 为界面修饰层的ＴＦＴ器件。ＨｆＳｉＯ ｘ ２ ３ ｘ 薄膜经ＡｌＯ薄膜修饰后，薄膜表面粗糙度从０．２４ｎｍ降低至０．１６ｎｍ。ＡｌＯ 薄膜与ＨｆＳｉＯ 薄膜之间的界 ２ ３ ２ ３ ｘ 面接触良好，以ＡｌＯ 为界面修饰层的ＴＦＴ器件整体性能得到提升，具体表现为：栅极电压正向和反向扫描过 ２ ３ 程中产生的阈值电压漂移显著减小，器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低，迁移率与开关比增大。研究证明， 溶液法制备ＡｌＯ薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。 ２ ３ 关　键　词：溶液法；薄膜晶体管；界面修饰层ＡｌＯ ２ ３ 中图分类号：ＴＮ３２１．５　　　文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ００５０ ＳｏｌｕｔｉｏｎＰｒｏｃｅｓｓｅｄＨｆＩｎＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓｗｉｔｈ ＨｆＳｉＯ ＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓＭｏｄｉｆｉｅｄｂｙＡｌＯ Ｆｉｌｍｓ ｘ ２ ３ １，２ １，２ ２ ２ ＧＡＯＹａｎａ ，ＸＵＹｕｎｌｏｎｇ ，ＺＨＡＮＧＪｉａｎｈｕａ，ＬＩＸｉｆｅｎｇ （１．ＳｃｈｏｏｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ； ２．ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＡｄｖａｎｃｅｄＤｉｓｐｌａｙａｎｄＳｙｓｔｅｍＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００７２，Ｃｈｉｎａ） ＣｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇＡｕｔｈｏｒ，Ｅｍａｉｌ：ｌｉｘｉｆｅｎｇ＠ｓｈｕ．ｅｄｕ．ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＳｏｌｕｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｅｄＨｆＩｎＺｎＯ（ＨＩＺＯ）ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＴＦＴｓ）ｗｉｔｈＨｆＳｉＯｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ ｘ ｍｏｄ