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封装的定义 厂房的介绍 主要的流程图 LF 软焊料 Wafer 料盒和LF的展示 塑封料 Al Wire Wafer Mount Die saw Die Attach Wire Bond Molding Planting Trim/Form Test 晶圆 【Wafer】 封装的材料 封装的材料 料盒及框架的展示： 塑封料【 Mold Compound 】 主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）； 主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰； 存放条件：0—5°保存，常温下需回温24小时； 封装的材料 铝线 【Al Wire】 铝线成分：99.99%Al 铝线直径：4—20mil 铝线的BL\EL参数（即最大崩断力和韧力延展力） 型号 千住P3 F3 类型 多款供选 品牌 SENJU 助焊剂含量 006（%） 标准直径 0.3 0.4 0.5 0.6 0.8 1.0 1.2（mm） 熔点 06（℃） 重量 10000（g） 用途 焊接 材质 SNCUAG 产地 日本惠州北京 长度 0068 工作温度 006 规格 alphanurkse 焊接电流 6088 牌号 SENJU 是否含助焊剂 是 封装的材料 目的：将切割胶膜贴合在晶元背面,并固定在铁框上。 机台：ADT 966 Wafer Mount【贴膜】 将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落。 工艺流程 机台：ADT7100 Die Saw 【晶圆切割】 目的：通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice， 方便后 面的 Die Attach等工序； 工艺流程 晶圆切割前/before wafer saw: Top Side Back Side 晶圆切割后/After wafer saw: One dice Die Saw 【晶圆切割】 Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； 切割完之后要对晶圆在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有硅屑和崩边。 工艺流程 Die Saw 【晶圆切割】 切割过程中需注意的事项： 切割水是用的去离子水，阻抗要求17MΩ以上 切割水中需加入二氧化碳气体 切割主轴每分钟3万转 切割机可以切割5,6,8寸Wafer 切割时对气压的要求为4.5—6.5KG/CM2 Wafer 厚度要求为：220-280um 工艺流程 Die Saw 【晶圆切割】 Die Attach【芯片粘接】 目的：利用软焊料的粘性将晶粒固定粘于lead frame上,以便于后制程作业。 机台： ASM Lotus-SD 和 ASM SD890A 工艺流程 芯片粘接的作用： 把芯片固定在引线框架上； 粘接的质量对后续工序有影响； 对产品的电性能、热性能和可靠性有重要 影响； 工艺流程 17 LF Index Direction Anvil tracks (working platform with High Temp.) 1. Solder wire moves downward then upward to dispense solder onto the LF pad 2. Spanker moves downwards and press onto the molten solder to make a rectangular solder pattern Heated LF Wire Dispensing Spanking Heater Molten solder dot Solder Wire Molten solder pattern Die Die Bonding 3. Bond arm transfers the die from wafer frame onto the solder pattern collet LF In Bonded LF out DA过程演示： 在轨道高温区加入混合气体（90%N210%H2）进行保护，防止框架、焊锡等发生氧化，对后续工序产生影响。 Die Attach【芯片粘接】 After Die Attach Before Die Attach 工艺流程 Die Attach【芯片粘接】 目的：Lead Frame 上的Chip 与LF之间用Al Wire 连接。 机台：OE 7200 Wire Bonding 【引线焊接】 工艺流程 WB