金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管热载流子应力下漏电特性及机制研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

金属诱导榄向结局 n 援事晶破薄膜晶体管热线流于应力下涌电特性及机制研究 中文摘要 金属诱导横向结晶 n 型多晶磁薄膜晶体管热载流子应力 下漏电特性及机制研究 中文摘要 本文主要研究了金属诱导横向结晶 n 裂多晶被簿膜晶体管在热载流子 。侃侃而衍;HC)应力下的漏也将俭，以及其所对应的物理机制 z 并确定了应力前后漏 电的电流模型。最后提出了 HC 应力下 n 型 TFT 的场助产生(field enhanced gener剧。民 阳G)漏电与热产生 (th创mal genera归口.TG) 漏电最化统…模型。整个研究从 FEG 漏电和 TG 漏电两个角度展开.在测最时，采用正反向测最模式。在定性分析 FEG 漏电和 TG 漏咆特性的同时，还针对 loff 和漏电最小傻 Iotr_IDín这两个3重要参数迸行 定量分析.此外，对 TG 漏电分为司在日化和 H 化器件两个对照组，施行研究，并分 别考察了饱和区和增长区的特性.最终得出了热载流子应力后，阳。漏也与 TG 漏也 在iE反向测最模式下的漏电特性，并澄清了其内在的物理机制.还确认了应力前后在 ?E反向测量去模式下 FEG 漏电的电流模型，以及 TG 漏电缩蠢的电流模型。并提出了 HCJS主力下 n 型 TFT 的阳G 漏电与 TG 漏电量化统一模型.从数学上澄清了.:\ Ioff 和 ?Ioff min 的制约因素. 关键词z 低温多晶碰，薄膜晶体管，金属诱导横向结晶，热载流子应力，漏咆 作者2 朱臻 指导教师 g 王明湘 金剿诱导榄向绪晶 n 型事晶硅傅腺晶体管热线梳子应力下漏电特性及机制研究 英文摘鹰 An Investigation on Leakage Current Characters and Mechanisms of Metalinduced Laterally Crystallized n-type Polysilicon Thin Film Transistors under Hot Carrier Stress Abstract The leakage 创盯ent charac阳s and mecha.nisms of me回也duωd la优rally crystallized 如钞pe polysilíωn 伽infilm 甜ansistors are investigated under the 加t 锦州er(HC)饰础- And current models of me剧组duωdla阳划ly crys时l协d n-typ串 polysiliωn 伽infilm transisωrs are identified before and after 阳 hot 侃而er stress. Fina1ly，a unified quantitative mooel of n句pe TFTs leakage currents under the HC 刷刷， which can be d?vid创切ω 仿t 加Id enhanc时 generat?onσEO) and the thennal generation(TG) mechanisms，is presented.The wbole research f1ωuses on two aspe仰， the FEO le球锦e ωtrents and the TO le抹age currents. Take measur，创in the forward mode and the re阳ve m耐畴.respectively. Not only anaIyse the chara刷rs of the FEG and TG leakage currents， but also qωntitatively analyse the 阳o sign?ficant pararneters. loff and Ioff_min which is defined as the min?mum leakage current.Morωver，the study about the TO leakage current ωn be div?ded inωtwoωn阳sting tω， ms，non-hydrogenated TFTs and hydrogenat时 TFTs. And study the charac棚。fthe 1础age current in the increasing region and the saturation region under the HC stress，respectível予 Finally，the cha