金属有机骨架材料的改性制备及其CO2气体吸附性能的实验研究-化学工程与技术专业论文.docxVIP

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摘要金属.有机骨架材料的改性制备及其C02气体吸附性能的实验研 摘要 金属.有机骨架材料的改性制备及其C02气体吸附性能的实验研 究 摘要 金属.有机骨架材料(Metal.Organic Frameworks,MOFs)是一种新型 纳米多孔材料,因其具有较大的比表面积和孔隙率、合成方便、热稳定性 好、骨架规模大小可变以及可根据目标要求作化学修饰等优点,有望在储 气、分离、催化、生物化学及制药等领域获得广泛的应用。然而MOF材 料种类繁多,结构复杂,很难采用实验的方法对其进行系统的研究。在本 论文中,我们选择了几种较有代表性的材料。其中,Cu.BTC材料除了与 MOF典型材料MOF.5一样具有三维交叉的正方形孔道,孔径大小约为 9.5x9.5 A,还具有独特的面对主孔道开放的网兜结构以及大量的金属不饱 和位,使得其在储气和催化方面都具有较高的研究代表性。类沸石有机金 属骨架材料(Zeolite—like Metal-Organic Frameworks,ZMOFs)的是一种特殊 的MOF材料,具有骨架带负电、超大孔、较大的窗口以及在水溶液中有 较好的化学稳定性等特点。本文主要针对这两类材料进行以下方面的研 究: 1、我们合成了骨架带电的类沸石金属.有机骨架材料usf-ZMOF和 sod.ZMOF。通过离子交换将骨架中体积较大的有机阳离子用较小体积的 无机阳离子取代,并对C02在其中的吸附性质进行了研究。实验结果表明, Li+离子交换后的usf-ZMOF Lt表面积增加,C02吸附量也增加,与分子模 北京化工大学硕士学位论文拟预测的结果一致。 北京化工大学硕士学位论文 拟预测的结果一致。 2、寻找Cu-BTC最好的合成和活化方法,以期望得到更大比表面积和 孔隙率的Cu.BTC材料。由于目前MOF材料的合成一般采用水热合成方 法,即材料在溶剂中于一定温度和压力下合成,这样得到的材料孔道中充 满了溶剂分子。在不影响骨架结构的前提下,尽量完全地去除溶剂分子成 为我们研究的主要目标。由于骨架内部的溶剂存在表面张力,在普通的干 燥条件下会造成骨架的坍缩。超临界干燥旨在通过压力和温度的控制,使 溶剂在干燥过程中达到其本身的l临界点,过程中溶剂无明显表面张力,在 维持骨架结构的前提下完成液相至气相的超临界转变。我们基于此思想将 超临界干燥法应用于Cu.BTC的活化处理上。结果证明,超临界干燥处理 比普通干燥处理的材料比表面积要大。 3、我们以处理后的铜网为基底,成功地制备了致密的Cu。BTC膜。氧 化处理后的铜网不仅对表面进行了修饰,又提供了二价金属铜,为Cu—BTC 晶体的生长提供了一个双铜源的环境。我们可以将这一方法应用于其他材 料中去,即选择MOFs中的对应金属材料为基底进行MOF膜的制备。 关键词:金属一有机骨架材料,水热合成,超临界干燥,离子交换,吸附 n 摘要The 摘要 The MODIFICATION OF METAL-ORGANIC FR创MEWORKS AND THEIR GAS ADSoRPTIoN PRoPERTIE S ABSTRACT Metal—Organic Frameworks(MOFs)is a new class of nanoporous materials.Due to their large surface area and porosity,easy synthesis,high thermal stability and the controllable chemical modification for certain targets, MOFs have been shown very promising applications in the fields of gas storage,separation,catalysis,biochemistry,and pharmacy.However,it is difficult to carlTy out systematical study by experiment because of the chemical diversity and complex structure of MOFs.In this thesis,we choose several porous solids as a representative of MOF materials:(i)Cu-BTC, whose pore size is about 9.5x9.5 A,not only has a similar three.dimensional pore structure with another well-known material MOF一5,b

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