半导体厂消防设施安全基准.docx

半导体厂消防设施安全基准 半导体厂消防设施安全基准(建议草案) 适用范围 引用标准及说明 目的：本基准旨在提供半导体制造厂之制程区及支持区消防设施之安全 规范。危害物(HPM)的储存、运送和使用应以本规范为依归。相关的消防安全设 施和系统必须随时维持在可使用的状态。 本基准草案主要是根据UFC Article 51的内容，并参酌我国消防法、NFPA 318、FM Loss Prevention Data 及 SEMI S-2 0Doc. 2697 等资料编写而成。 名词解释： 制程区(Fabrication area) 危害物(Hazardous Production Material； HPM) 危害物储存场所(HPM Storage Room) 紧急紧报系统(Emergency Alarm System) 防灾中心(Emergency Control Station) 服务走道(Service Corridor) 制程设备(Workstcition) 闪点(Flash point) 沸点(Boiling point) 1?半导体厂火灾之预防 我国消防法 1.1通则:尽量减少火源与可燃物接触的机会。 1?2火源管制: 1.2. 1 一般火气：严禁吸烟，使用火柴、打火机 1.2.2作业用热源：不使用直接燃烧气体进行加热干燥，应采用热媒间 接加热方式。 1.2.3临时动火：应在责任者之充分监督下才准使用。 1.2.4电气设备：密闭室内使用防爆型以外之电气设备时，不得使用会 发生可燃性蒸气之溶剂。若无法避免，即使在电源切断时，应须进行充分换气作 业。 1.2.5静电：讲求抑制静电发生及防止带电之方法。 1?3可燃物之管制： 1.3.1周围Z不燃化:钢瓶、容器储存场所，应采耐火构造，并与其它建 筑物隔离，并尽可能避免可燃物之进入。排气系统之风管，应使用不燃材料；但 一般所称难燃材料（耐燃三级），在长吋间火焰作用下仍会引燃，故排气风管不 得使用该种材质。排放管内之沉积物，应定期检查排放及清洗。 耐燃三级系由中国国家标准CNS6532所规范者。 1. 3. 2气体漏泄Z防止：由于不可能完全不使气体漏泄，故重点在于万一 漏泄发生时，如何防止起火或产生滞留爆炸。 3. 3可燃性液体泄漏防止: 使用密闭容器 配管之使用：可燃性液体之处理场所应设置于与贮存处所或作业场所 有别之安全场所，再使用配管将制程所需必要的最小量送入制程区。 泄漏之局限化：作业场所之楼地板应为液体不会浸透之构造，并有适 度之坡度或排液沟。处理槽应设于安全位置。 1.3.4爆炸性混合气体形成之防止（换气）：引火点（闪点）在周围最高温 度以上之可燃性液体，可采自然换气方式；引火点在环境气温以下者，须采强制 换气方式。可燃性液体蒸气通常较空气重，其换气装置之排气口应设于靠近蒸气 发牛源之低处，而进气口则以设于高处为原则。换气装置应使用防爆机型。危险 装置附近应设于气体侦测器俾能随时检测。 2 ?半导体厂之消防设施 2. 1制程区之火灾侦测： 2.1.1洁净室之探测器应选用能适应平吋洁净环境能感应其变化程度设 定之侦烟器，并应安装在在回风管之吸气口处。火灾侦测系统应采极早期预警型 式。 NFPA 318 和 FM LPD 7-7 之规范。 2.1.2氢(H2)之燃烧火焰几乎完全不会释放出红外线，因此其储存区域 或使用区必须使用紫外线火焰探测器。 1. 3排放管路之火灾探测系统：应采感知速度较快之火焰探测器。 2.2自动洒水系统：洒水设备系统必须符合相关建筑法规和「各类场所 消防安全设备设置标准」Z要求。警报讯号必须送至防灾屮心。 可参见第43条至第60条之规定。 **海龙灭火设备可防止制程设备之二次损害，但有环保（破坏臭氧层）问 题，可采用海龙替代品（须经内政部消防技术委员会审议通过者）防护之。 例如 FM-200 （LPD 7-7, 17-12） 2.3火警警报系统：凡在高度危险工作场所必须全而性的备有手动火警 警报系统。其激活必须能在原地发出警报声，同时相关讯号须传送至防灾中心。 该系统Z设计及安装应符合「各类场所消防安全设备设置标准」Z要求。 可参见「各类场所消防安全设备设置标准」第129条至第132条之规定。 2.4防排烟设备：火灾时，空调机之运转应予停止。必要处所，应设置 排烟设备。或参考防火防烟区划安全基准6. 7之规定。 2.5通报设备：除前述洁净室内极早期警报系统或风管内适用之火警探 测系统外，其它厂务设施空间适用之火警通报设备，与一般防护空间相同。 2. 6电气防灾设备: 2. 6. 1通则：应特别注意停电吋所造成的不当灾害。 2.6.2感屯部分: 电气设备之接地。 应设有感电防止用漏电遮断器等控制设备。 高电压、大电力之半导体制程设备，应依下列规定: 明白标