北京大学出版社外延课件.pptVIP

硅烷热分解法外延 SiCl4 SiHCl3 SiCl2H2 SiH4 主要应用在传统的外延工艺中 生长速度快，1um/min，用于厚外延层的制备 生长高质量的薄外延层，外延层的缺陷密度低于SiCl4和SiH4。 生长很薄的外延层，且得到高淀积率。 生长外延层需要很高的温度 可以在较低的温度下外延 用在更低的温度下 在低于900度下生长外延层 硅烷热分解法外延 化学反应式:SiH4 Si(固)+2H2(气) 优点: 不存在反向腐蚀效应,对反应室无腐蚀作用. 可以在相对低的温度下完成(600C分解;650-900C产 生外延层) 减弱了自掺杂效应和扩散效应. 提高外延层电阻率的均匀性,有利于薄层外延生长. 杂质玷污较少,硅烷纯度高. 可以精确控制流量,外延层生长的重复性好. 硅烷热分解法外延 生长过程: (1)SiH4分子靠扩散运动穿过边界层到达硅表面被吸附. (2)SiH4在硅表面分解,释放出硅原子和氢分子. (3)氢分子靠扩散运动离开界面并随主气流被排除.硅原子在衬底(或外延层)表面运动,并定位于适当的晶格位置上. 存在的问题: (1)SiH4能在气相中自行分解,造成过早核化.对外延层的晶体结构产生重要影响,甚至生成多晶.(解决措施:1加大气体流量,选定合适温度并准确控制.2在反应中加入适量的HCl) (2)同其他氯的硅化物相比,SiH4容易氧化形成硅粉.(避免氧化物质和水汽的存在) (3)外延层的缺陷密度比SiCl4氢还原法外延高. (4)对反应系统要求高. SOS技术 SOI(Silicon On Insulator 或Semiconductor On Insulator ):在绝缘衬底上进行硅的异质外延 SOS(Silicon On Sapphire 或 Silicon On Spinel):在蓝宝石或尖晶石衬底上进行硅的外延,是SOI的一种. SOI技术优点: 1.与制造在体硅或硅的同质外延层相比,由于SOI是介质隔离,寄生电容小,对高速和高集成度的电路特别有利,主要体现在更低的功耗和更高的速度上. 2.提高了器件抗辐射能力. 3.抑制了CMOS电路的闩锁效应. 4.硅-绝缘体CMOS工艺比体硅CMOS工艺简单,还能排除某些在体硅CMOS中存在的危害成品率的因素. SOS技术 衬底材料考虑因素:外延层与衬底材料的相容性 1.晶体结构:绝缘体的晶格参数十分接近于单晶硅晶格参数 2.热膨胀系数:热膨胀系数相近;相差较大在温度变化时会在单晶硅膜内产生应力,外延层缺陷增多. 3.绝缘衬底的质量:蓝宝石晶体制备方法1焰熔法2切克劳斯基法3边缘限定馈给法 4.熔点,蒸汽压… 分子束外延(MBE) 工作原理:利用蒸发源提供的定向分子束或原子束,撞击到清洁的衬底表面上生成外延层. MBE设备组成部分: 1.超高真空系统(真空度1.33*10-8Pa以上) 2.生长系统 喷射炉:放在不同喷射炉内的不同元素按一定比例喷射出来. 衬底基座:可以倾斜,旋转一定角度,同时可以放置,接送和加温样品. 3.测量,分析,监控系统 包括质谱仪(监视分子束的种类和强度),俄歇电子能谱仪(监视表面化学成分,组分和杂质的剖面分布),高能电子衍射仪(检测表面原子排列情况),薄膜厚度测试仪,电子显微镜等. 分子束外延(MBE) MBE前衬底表面清洁工艺: 1.高温热处理去除衬底表面的SiO2.(热处理温度太高) SiO2+Si SiO (1200C) 2用Ar+溅射,再退火(引起衬底表面的损伤) 3利用脉冲激光反复辐射. 外延层的缺陷 按所在位置分两类 表面缺陷:显露在外延层表面的缺陷,可用肉眼或金相显微镜观察到. 主要有:云雾状表面;角锥体;划痕;星状体;麻坑等 体内缺陷:位于外延层内部的晶体结构缺陷. 主要有:位错,层错 (也有起源于外延层内部,甚至衬底内部,但随外延层生长一直延伸到外延层表面) 层错 层错:由原子排列次序发生错乱引起的,也叫堆积层错. 产生层错的原因: 衬底表面的损伤和玷污,外延温度过低,衬底表面上残留的氧化物,外延过程中掺杂剂不纯,空位或间隙原子的凝聚,外延生长时点阵失配,衬底上的微观表面台阶,生长速度过高. 无缺陷 层错 无缺陷 原子面 外延层 层错法测量外延层的厚度 棒状 V型 △型 沿111方向生长的外延层层错与表面交线(沿110方向) 测量