分子束外延制备的垂直易磁化MnAl薄膜结构和磁性-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 17 (2013) 178103 分子束外延制备的垂直易磁化MnAl 薄膜 结构和磁性* 聂帅华 朱礼军 潘东 鲁军 赵建华† ( 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083 ) ( 2013 年5 月3 日收到; 2013 年5 月20 日收到修改稿) 系统地研究了利用分子束外延方法在GaAs(001) 衬底上外延生长的MnAlx 薄膜的结构和垂直易磁化特性 随组分及生长温度的依赖关系. 磁性测试表明, 可在较大组分范围内(04 x 12) 获得大矫顽力的垂直易磁化 MnAlx 薄膜, 然而同步辐射X 射线衍射和磁性测试发现当x 06 时MnAl 薄膜出现较多的软磁相, 当x 09 时, MnAl 薄膜晶体质量和化学有序度逐渐降低, 组分为MnAl09 时制备的薄膜有最好的[001] 取向. 随着生长温度 的增加, MnAl09 薄膜的有序度、垂直磁各向异性常数、矫顽力和剩磁比均增加, 350 ◦C 时制备的MnAl09 薄膜 化学有序度高达0.9, 其磁化强度、剩磁比、矫顽力和垂直磁各向异性常数分别为265 emu/cm3 、93.3%、8.3 kOe (1 Oe 795775 Am) 和7.74 Merg/cm3 (1 erg 10−7 J). 不含贵金属及稀土元素、良好的垂直易磁化性质、与半 导体材料结构良好的兼容性以及磁性能随不同生长条件的可调控性使得MnAl 薄膜有潜力应用于多种自旋电子 学器件. 关键词: 分子束外延, 大矫顽力材料, 磁各向异性 PACS: 81.15.Hi, 75.50.Vv, 75.30.Gw DOI: 10.7498/aps.62.178103 尽管科研人员对该材料进行了广泛地研究, 仅有少 1 引言 数在GaAs 和MgO 衬底上制备的MnAl 实现了垂 直易磁化, 并且与理论预言的良好磁性能相比还有 具有高垂直磁各向异性常数的铁磁材料可以 很大差距 9−15 . 主要原因是 -MnAl 为亚稳态相, 克服超顺磁效应, 实现高密度垂直磁记录, 因而得 对薄膜衬底、生长温度和组分等生长条件非常敏 到了广泛而深入的研究1−5 . 而具有较高垂直磁 感, 且容易分解成 -Mn 和 -MnAl 非磁性相, MnAl 各向异性常数并与半导体材料结构和工艺兼容的 薄膜的磁性质与 -MnAl 的含量和晶体质量密切相 MnAl 等铁磁性薄膜既可作为垂直磁化自旋注入 关, 然而系统研究MnAl 薄膜生长条件与其结构和 6 源 , 应用于自旋发光二极管、自旋场效应晶体 磁性的报道还很少. 管和侧向自旋阀等自旋电子学器件, 还有潜力将 ˚ -MnAl 的晶格常数a 为2.77 A, 与III-V 族半 非挥发磁阻式随机存储器和半导体电路集成在一 ˚ 导体GaAs 的5.6533 A 的一半失配仅有2%, 我们最 7 -MnAl(又称L 1 相) 是 起 , 因此得到特别关注. 0 近的工作证明MnAl 薄膜可以很好