第3章 载流子输运现象04.pptVIP

课堂小结 载流子的漂移、扩散运动 产生与复合过程（直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合） 连续性方程（单边稳态注入） 了解热电子发射过程、隧穿过程、强电场效应的产生机理 作 业 P58页，1（只做本征Si）、3、7、9 第3章 载流子输运现象 半导体器件物理 第3章 载流子输运现象 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 3.4 连续性方程式 考虑一个位于x、厚度为dx的极小薄片。薄片内电子增加的速率为四个成分的代数和，即在x处流入薄片的电子数目，减去x+dx处流出的电子数目，加上薄片内的电子产生速率，减去薄片内与空穴的复合率。 描述半导体物质内当漂移、扩散及复合同时发生时的总和效应的方程式。 导出 V dx 面积=A Jn(x) Jn(x+dx) Rn Gn x x+dx 前两个成分可将薄片每一边的电流除以电子的带电荷量而得到，而产生及复合率则分别以Gn及Rn表示。薄片内所有电子数目的变化速率为 其中A为截面积，而Adx为薄片的体积，对于在x+dx处的电流以泰勒级数展开表示，则： V dx 面积=A Jn(x) Jn(x+dx) Rn Gn x x+dx 因此，电子的基本连续性方程式为 对空穴亦可导出类似的连续性方程式，不过上式右边的第一项的符号必须改变，因为空穴的电荷为正。 将 分别代入上述两式 注意：上述两式中的G、R都是针对超量载流子而言。 对一维小注入情形，少数载流子（亦即p型半导体中的np，或n型半导体中的pn）的连续性方程式为 如右图一n型半导体由于光照而使超量载流子由单边注入。假设x0时，电场及产生率为零。稳态下，半导体内少数载流子微分方程式为 单边稳态注入 边界条件：pn(x=0)=pn(0)=常数，且pn(x→∞)=pn0。pn(x)的解为 其中 ，称为扩散长度。 hv 注入表面 0 x x pn(x) pn(0) pn0 0 获得一个新解 对下图厚度为W的样品，使在x=W处的所有超量载流子都被取出，即第二个边界条件变为pn(W)=pn0，则式 hv 注入表面 0 x x pn(x) pn(0) pn0 0 W W 所有超量载流子被取出 在x=W处的电流密度为式 半导体表面，假如载流子具有足够的能量，它们可能会被发射至真空能级，这称为热电子发射过程。 图(a)显示一个被隔离的n型半导体能带图。电子亲和力qχ为半导体中导带边缘与真空能级间的能量差；功函数q?s为半导体中费米能级与真空能级间的能量差。由图(b)可见，假如一个电子的能量超过qχ，它就可以被热电子式发射至真空能级。 热电子发射过程对于金属-半导体接触尤其重要。 3.5 热电子发射过程 真空能级 真空 半导体 EC EF EV qVn (a) 隔离N型半导体的能带图 qVn EC EF EV (b) 热电子发射过程 电子分布 } 适合热电子发射 图(a)显示当两个隔离的半导体样品彼此接近时的能带图。它们之间的距离为d，且势垒高qV0等于电子亲和力qχ。假如距离足够小，即使电子的能量远小于势垒高，在左边半导体的电子亦有一定的几率可穿透势垒，移至右边的半导体。这个过程称为隧穿。 3.6 隧穿过程 EC EF d 真空能级 EF EV (a) 距离为d的两个隔离半导体的能带图 qV0 EC EV 以隧穿为主要传输机制的半导体器件有用于限压的齐纳二极管、用于微波的隧道二极管。 低电场，漂移速度线性正比于所施加的电场（漂移速度足够小于载流子的热速度）。当漂移速度趋近于热速度时，其与电场间的依存性便开始背离线性关系。 右图，最初漂移速度与电场的关系是线性的，即固定的迁移率。 电场持续增加，漂移速度的增加速率趋缓。 足够大的电场，漂移速度趋近于一个饱和速度。 3.7 强电场效应 0 0 1 2 3 4×104 2 4 6 8 10×106 漂移速度(cm/s) E(V/cm) 电子 空穴 Si (300K) vn =μnE vp=μpE n型GaAs强电场输运与硅大不相同，如图。n型GaAs漂移速度达到一最大值后，随电场进一步增加反而减小。 上述现象由GaAs能带结构引起，它允许传导电子从高迁移率的能量最小值（“谷”）跃迁至低迁移率、能量较高的邻近谷中。电子沿着[111]方向，从中央谷中跃迁至邻近的谷中，如图所示。 由于n型砷化镓中的这种漂移速度特征，这种物质常被利用在微波转移电子器件 。 EEa [111] [000] 0 价带 导带 GaAs EEb [111] [000] 0 价带 导带 GaAs EaEEb [111] [000] 0 价带 导带 GaAs 高谷 低谷 Eg 半导体