硅100晶面上硅和二氧化硅的横向与纵向腐蚀速率.PDF

第17 卷 第3 期 化 学 物 理 学 报 Vol. 17 ，No. 3 2004 年6 月 CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS Jun. 2004 1003-77 13/ 2004/ 03-236-5 硅（100 ）晶面上硅和二氧化硅的横向与纵向腐蚀速率* 欧阳贱华， 赵新生** （北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室，化学学院化学生物学系，北京 10087 1） 摘 要： 定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率，系统地测量了硅（100 ）晶面上的硅和二氧化硅在40% （质量分数）氟化铵水溶液中的横向与纵向腐蚀速率，并和硅（111 ）晶面上的测量结果进行了对比. 对比结果表 明，尽管两种晶面上的硅和二氧化硅的腐蚀速率有明显的差别，其相应的表观活化能在误差范围内相同. 实验中 还发现，溶液的温度为38. 2 ℃ 时，硅腐蚀过程中形成的气泡对硅的腐蚀速率有显著的影响：开始时加速硅的腐 蚀；但随着气泡在硅/ 溶液界面的聚集，阻碍硅的腐蚀. 关键词： 硅；二氧化硅；腐蚀速率；光刻术 O643. 134 文献标识码：A 中图分类号： The Lateral and Longitudinal Etching Rates of Silicon and Silica on Si （100 ）Surface * Ouyang Jianhua ， Zhao Xin Sheng ** （State Key Laboratory f or Structural Chemistry of Unstable and Stable Sp ecies ；Dep artment of Chemical Biology ，College of Chemistry and Molecular Engineering ，Peking University ，Beij ing 10087 1） Abstract The method established previously for studying the etching rates of micro-scale silicon and silica was used to study the etching process of silicon and silica on the Si（100 ）surface. Photolithography was used to pattern a positive photoresist mask to confine the etching area ，and the atomic force microscopy was used to probe the etched surface. The lateral etching rate of silicon or silica on the silicon surface was defined ，and the lateral and longitudinal etching rates of silicon and silica on the Si（100 ）surface in 40% ammonium fluoride aqueous solution were measured. The effect