激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 1’ 4 $$( 4 ， ， ， -P= ,1’ JP ,4 6?@C $$( （ ） #$$$:%$.$$(.1’ $4 .4’5:$1 27M2 HFNEO72 EOJO72 $$( 7Q@ , HQRS , EP3 , 激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究! ! 周 江 韦德远 徐 骏 李 伟 宋凤麒 万建国 徐 岭 马忠元 （南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，南京 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ ( $ $$’ ## ( 利用 准分子激光退火超薄非晶硅膜，并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发 )*+ 射性质 在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象，其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的 , 降低到 ，而场发射电流密度可以达到 激光晶化后形成的纳米硅材料的场电子发射特 #’ -. / ( 01 -. / $ 0 # /2. 3/ , ! ! 性的改善可以从薄膜表面形貌的改变以及高密度纳米硅的形成所导致的内部电场增强作用来解释, 关键词：纳米硅，场发射，激光晶化 ： ， ， !## 4#54 ’%’$ (##$6 因而场发射开启电场较高而场发射电流较小, #0 引 言 在我们先前的工作中，采用)*+ 准分子脉冲激 光作用于超薄氢化非晶硅（ ：）膜，再结合常规 ;:E F 由于在平板显示器件，真空微电子器件和高频 热退火技术，获得了面密度大于#$## 3/G ，晶粒尺寸 微波器件等方面有着重要的应用前景，近年来，对半 可控的高密度硅基纳米材料，同时，在合适的激光辐 导体材料的场发射特性的研究正越来越引起国际上 照能量密度范围内，所获得的纳米硅的尺寸分布的 ［— ］ 许多研究小组的重视# , 迄今为止，许多半导体材 标准偏差小，这表明可以通过分别控制晶粒的成核 料，包括金刚石，非晶碳、碳纳米管以及氮化物等材 与生长过程的方法制备出高密度、均匀的硅基纳米 ［— ］ ［ ］ 料的场电子发射特性已被广泛地研究和报道# 1 #$ , 薄膜 本文主要研究了利用准分子脉冲激光所制 , 为了提高场发射材料与器件的特性，人们希望能获