浅析Xray辐射对SSD闪存数据存储的影响.pdf

面积，而且“鸟嘴”部分的场氧由于它的特殊的应力特性[30]，成为总剂量的敏 感区域。这时候，提出了一种通过淀积的方式产生两层掺杂的氧化层结构[31]， 该结构具有抗辐射的能力。 90年代，集成电路抗辐射加固的重点是对亚微米的多晶硅栅晶体管进行辐射 加固。由于栅氧的尺寸急剧缩小，所以此时的栅氧很难发生总剂量效应。80年 代的文献已经指出：一旦栅氧的厚度小于lOnm，栅氧的总剂量效应将消失 [32]。事实证明了上述预测。栅氧厚度小于lOnm的晶体管在90年代被制造出 来。对体硅CMOS来说，主要的辐射加固问题是如何加固用作横向隔离的场氧?90 年代末，为了满足等比例缩小的要求，浅槽隔离技术(STI)成为CMOS主流的隔 离技术，这种技术完全消除了鸟嘴现象。有趣的是，STI技术的抗辐射能力跟很 多特性参数有关，比如：尺寸、浅槽中的填充物的特性等。所以在有些管子中， STI技术的抗辐射能力小于lOkrad，而在另外一些管子中，STI技术的抗辐射能 品化。这种工艺可以生产出能加固lmrad辐射的容量为1Mb的SRAM，虽然该产 品在性能上落后通用工艺线3代。 二十世纪以后，在Moore定律的指引下，这个时候晶体管的沟道长度已经接 近lOOnm，栅氧的厚度已经小于4nm。对于数字CMOS电路而言，因为它们使用非 常薄的栅氧，所以辐射引起的器件的阈值电压的漂移非常小，已经不是一个问题 了。但是对于混合信号[33]和功率MOS集成电路[34]，因为它们要求比较厚的栅 氧，所以总剂量引起的阈值电压的漂移还是一个需要解决的问题。Flashmemory 需要工作在高电压，所以它的电荷泵电路中需要厚的栅氧，导致Flashmemory 对总剂量效应是敏感的。当CMOS器件的沟道长度等比例缩小到0．25um以下，从 抗辐射加固的观点看，器件横向隔离的场氧化层依旧是重点需要进行加固的部分 以前使用在浅槽隔离的加固技术在目前的工艺特征尺寸下，已经无法工作。因为 以前的方法需要对二氧化硅层进行掺[35]，而在目前的器件中以前的方法引入的 自动掺杂将影响较薄的场氧，使之不满足等比例缩小的要求。所以目前，我们需 要找到不对浅槽填充物进行掺杂的情况下，加固器件的辐射能力的方法。 1．3本研究的意义及安排 闪存产品的可靠性主要的可靠性指标有两个擦写的次数，数据保存的时间。 SSD厂商的一般规定是在在0-55C使用环境中可使用IOK次的擦写，基本可以模 拟两年间歇性的使用17520个小时。对于数据存储在浮栅层中的电子保持30年 万方数据 不变[36]。 之前的章节早也已经介绍，在芯片制成和PCB封装，甚至日常的生活过程中， 常常会用到X射线，例如用来检测引线的连接状况，锡球的焊接质量，或者在机 场，火车站，地铁入口，都会用到X射线做检测。这些X射线的检测剂量相差 怎样，日常生活和生产中到底要注意什么，这是本文研究的主要内容。 随着工艺的发展，氧化层厚度不断减薄，闪存浮栅的电子存储越来越少，另 外现在的存储主流都多电平单元的出现，每个阈值电压分部窗口之间的间距越来 越小，产品受不同辐射量影响到底有多大，控制在多少辐射剂量是比较安全都需 要很多实验数据和理论分析。 本文的研究是基于正常商用的NORflash的封装和测试过程中实际发现的问题 而进一步做的研究。当时发现闪存芯片经过X射线的检测后，原来的阈值电压发 生了漂移。如图1．1，未经过X射线照射的两组不同的阈值电压的比特前后基本 保持不变(蓝线和淡蓝线是初始值，绿线和红线是经过一段时间后从新得到的值， 每一个点一个存储单位的阈值电压)，而如图1．2经过一定时间X-ray照射后， 明显和初始值相比，阈值电压相比有O．1V到O．2V的电压漂移。 68叮nan D删mmli64Y—IrEindelt8FailureFPVTv5Binl ●2 j I 上毛