检测光源角度对于矽膜再结晶特性影响之研究与分析.PDF

度 立 jacksonk@mail.mit.edu.tw jeng @mail.ntust.mit.edu.tw 良 (low temperature polycrystalline silicon thin film transistors, LTPS TFTs) 度(High Definition Liquid Crystal Display, HD LCD) (Organic light-emitting diode,OLED)領 (polycrystalline silicon, poly-Si) 雷 (Excimer laser Annealing, ELA)來poly-Si 雷 poly-Si 粒 粒 (in-situ time-resolved optical measurements)不度 率 (reflectivity)率(transmissivity)不 度 度 90 nm 雷行 不 度率率不 雷 率率 100 % 度 雷 1. 良度領 雷 來poly-Si[1] 雷 poly-Si 粒 粒 [2-14] 不度率率 不度 度 90 nm PECVD 雷行 2. 1 (NEG, Nippon Electronic Glass) (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD) 度 300 nm SiO度 90 nm (a-Si) 2 PECVD 8~10 %量 (dehydrogenation)行雷 雷量 雷 [15] 度 爐 550 2 行量 8~10 % 1~3 % 雷 1 LAMBDA PHYSIK COMPex 102 XeF ( =351nm FWHM=25 ns Repetition rate=1 Hz)雷行 雷路 4 mm × 15 mm 不 來雷量 度 (beam homogenizer) 雷 率 (Joule meter) 來XeF 雷量 2 雷 量 度 EL 精(=100 mm , UV-fused silica ) 離雷量 度 EL (1)d 離E0 XeF 雷量 度 E ⎛⎜ f ⎞⎟ L= E0 (1) ⎜⎝(d −f )⎠⎟ 雷 (beam splitter) 10 %雷 (photodetector)錄量 90 %雷不雷量 度行 He-Ne 雷 (10 mW)He-Ne 雷 45° 數( 500 MHz 率 2 GS/sec)行 3 雷雷雷 雷行雷雷 SiO 行 2 4 (a)雷 (b)雷 FSR Frontside Reflectivity FST Front side Transmissivity BSR Backside Reflectivity FSR 不雷量 度 He-Ne雷 10 nm 度(penetration depth) [16]