氧化锌包覆提高无机卤素钙钛矿忆阻器性能及稳定性-国家级大学生创新.PDFVIP

氧化锌包覆提高无机卤素钙钛矿忆阻器 性能及稳定性 南京理工大学 吴晔，韦奕，黄勇，曹菲，余德见 南京理工大学材料科学与工程学院，江苏省南京市 2100941 曾海波教授，李晓明副教授 中文摘要：阻变存储器具有擦写速度快、集成密度高和能耗低等优点，被认为是计算机系统的下一代 存储处理器。本工作首次成功制备基于无机卤素钙钛矿 （CsPbBr , CPB ）的高稳定和高性能阻变存储器。 3 5 该器件具有电场诱导的双极型电阻切换（ReS ），阻变比大于10 ，工作电压小于1V，能耗低，数据保持时 4 间大于10 s 。氧化锌（ZnO ）的包覆使得其具有很好的环境稳定性，这一设计可以应用延伸很多的阻变器