射频碳化硅E类功率放大器分析.pdfVIP

2 射频碳化硅E类功放研究 使用有较高效率的功率放大器，同时，兼顾增益、线性度、应用环境等要求。例 如，移动手机中，常使用AB类功率放大器，以获得高于A类功率放大器的效率， 和仅次于A类功率放大器的线性度。 传统的功率放大器，主要是通过减小导通角来获得较高的效率。但是，当放 大器获得较高的效率时，其输出功率却非常小，当效率达到100％时几乎没有输出 功率，而开关类功率放大器则没有类似问题。E类功率放大器作为开关类功率放大 器的一种，1975年由Sokal首次提出，通过合理设计负载网络，可以使晶体管上 电压电流不相重合，因而晶体管上无功率损耗，理论上效率可以达到100％lzJ。 E类功率放大器的设计过程中，晶体管的选择无疑是一个十分重要的步骤。一 般常用的晶体管有第一代半导体材料Si制作的横向扩散金属氧化物半导体晶体管 等。然而，E类工作模式下，大功率、高频率以及高温、高辐照环境等应用中，Si LDMOS和GaAsHEMT均体现出了各自的不足。如，GaAs材料的热导率仅为 O．54W／cm·K，在高压下器件的特性会因为热效应而受到严重影响。因此，寻找一 种更好的化合物半导体材料成为了重要的研究课题，正是在这种背景下，以SiC 材料为代表的第三代宽禁带半导体材料登上了历史舞台【3J。表1．1给出了4H-SiC 材料和几种常见的半导体材料的参数对比。相比于其他半导体材料，SiC材料的优 势在于：禁带宽度宽、击穿电场高、热导率高、介电常数小、电子迁移率大、化 学性质稳定、抗辐照能力强。因此，使用SiC材料制作的MESFET晶体管，有着 工作频率高、耐高压和抗辐照能力强等优势，是射频E类功率放大器和一些特殊 应用场合的最佳选择之一。 表1．14H．SiC、GaN、Si以及GaAs材料基本性质 4H．SiCGaN Si GaAs 禁带宽度eV 3．26 3．36 1．12 1．43 击穿电场V／cm 4×106 5X1062．5×1053．0×105 热导率W／cm·K 4．9 1．5 1．4 0．5 介电常数 9．7 9．5 11．8 12．8 电子迁移率em2／V．S 1020 900 1400 8500 1．2国内外研究动态 第一章绪论 于1977年给出了经典的分析方法，以及可以满足给定输出功率参数的设计方法。 经过三十多年的发展，E类功率放大器的电路拓扑结构、晶体管参数、高频率和宽 极电流下降时间对效率的影响、E类放大器新拓扑形式的分析和集电极调幅等的讨 的E类放大器，漏极效率均在60％以上【10,11】；高葆新等人还分析了展宽E类放大 器频带的原理与方法【121。 由于SiC材料的新颖性，碳化硅MESFET器件的工艺和性能发展比较困难， 器件模型也不够精确。这些因素一直制约着基于碳化硅MESFET的射频E类功率 放大器的研究和发展。近年来，许多科研工作均围绕4H．SiCMESFET器件工艺和 性能的提高展开，国内外在4H．SiCMESFET器件研制和器件建模方面取得了很大 的进步。碳化硅MESFET的性能参数取得了很大的进展：击穿电压可达100V以 型4H．SiC 工作频率可达2．7GHztt3】。在国内，中电13所、55所、中科院半导体所和西安电 子科技大学微电子学院等对4H．SiCMESFET的模型和关键工艺开展研究，提出了 器件的部分交流小信号与射频大信号模型，并完成了初步实验投片，并取得了一 定成果。 随着碳化硅MESFET器件工艺和模型的发展，使用4H．SiCMESFET设计射 频E类功率放大器的工作近些年也逐渐开展起来。2004年美国Cree公司的 MESFET的大信号模型首次给出了射频碳化硅E RaymondS．Pengelly使用4H．SiC 类功率放大器的电路设计，并用软件MicrowaveOffice对所设计的电路进行了仿 Le