行业标准项目建议书建议项目名称中文碳化硅单晶抛光片位错密度.DOC

行业标准项目建议书 建议项目名称 (中文) 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 建议项目名称 (英文) Test method for dislocation density of polished monocrystalline silicon carbide wafers 制定或修订 ■制定 □ 修订 被修订标准号 采用程度 □ IDT □ MOD □ NEQ 采标号 国际标准名称 （中文） 国际标准名称 （英文） 采用快速程序 □ FTP 快速程序代码 □B □C ICS分类号 77.040 中国标准分类号 H21 牵头单位 北京天科合达半导体股份有限公司 体系编号 6-62-622 参与单位 南京国盛电子有限公司 计划起止时间 2017年-2018年 目的﹑意义或必 要性 在半导体材料中，一般将硅(Si)、锗(Ge)等材料称为第一代半导体材料，将砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等材料称为第二代半导体材料，而将以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料称为第三代半导体材料。作为第三代半导体材料的代表，SiC在禁带宽度、击穿场强、电子饱和速度、热导率等综合物理特性上，比其他半导体材料具有更加突出的综合优势，由此保证了器件性能大幅度提升的物理基础。 作为新兴的战略先导产业，碳化硅是制造高频、高温、大功率半导体器件的理想衬底材料，是发展第三代半导体产业的关键基础材料，已成为当前