薄膜的生长过程和薄膜结构.pptVIP

薄 膜 织 构 薄 膜 织 构 借助图5.22可以理解，当两个晶面的夹角大于90°时，生长速度较快的晶面会随着时间的延长而逐渐减小，而生长速度较慢的晶面则会不断长大。 借助图5.22也可以理解，在薄膜沉积的情况下，当晶粒中生长速度最快的晶向与衬底表面垂直时，这一晶粒将会在与其它晶粒竞争生长的过程占有优势。而整个薄膜也会由于这些取向的晶粒的优先生长而形成相应的取向织构。因此，薄膜织构的形成过程就是各种取向的晶粒竞争生长的过程，生长速度较低的晶粒将会被其它的晶粒所掩盖，而生长速度最快的晶体学方向会成为薄膜的织构方向。这种由竞争性生长逐渐形成的薄膜织构与衬底的取向无关。在这种织构中，各晶粒只是在薄膜法线这一方向上取向一致。因此它又称为纤维状织构。显然，若可以利用改变生长条件的方法改变不同晶向的相对生长速度，就可以有目的的选择所需要的薄膜织构。 薄 膜 织 构 薄膜的外延生长 在实际的单晶薄膜生长方法中，除了适当提高衬底温度、降低沉积速率之外，还要采用高度完整的单晶表面作为薄膜非自发形核时的衬底。这种在完整的单晶衬底上延续生长单晶薄膜的方法被称为外延生长。单晶的外延可被分为两类，即同质外延和异质外延。同质外延衬底与被沉积的薄膜同属于一种材料；异质外延则是衬底材料与被沉积材料属于不同的材料。 1、点阵失配与外延缺陷 薄膜的外延生长要求薄膜与衬底材料之间实现点阵的连续过渡。由图5.26a所示，由于同质外延只涉及到一种材料，其点阵类型和晶格常数没有变化，因而在薄膜沉积的界面上一般不会因其晶格应变。 薄膜的外延生长 对异质外延，薄膜与衬底属于不同的材料，其点阵常数不肯完全相等，这时，薄膜与衬底之间点阵常数的不匹配可能会导致两种情况： （1）在薄膜与衬底的点阵常数差别不大时，外延的界面将类似于同质外延界面，即界面同侧原子的配位关系将于衬底中完全对应。但由于界面两侧材料点阵材料点阵常数的差别，界面两侧的晶体点阵常数将出现应变。 （2）当薄膜与衬底点阵常数间差别较大时，单靠引入点阵应变已不能完成点阵间的连续过渡。这时，在界面上将出现平行于界面的刃位错。衬底与薄膜点阵常数的相对差别被称为点阵常数的失配度，其定义为： 薄膜的外延生长 薄膜的外延生长 在有些情况下，人们还有意识地利用不同材料之间点阵常数的失配度，在界面上形成应变匹配外延。 薄膜的外延生长 外延时薄膜与衬底之间存在着一定的取向关系。为了表达这种取向关系，需要同时确定外延界面的晶体学面指数关系，以及界面内一个晶体学方向指数关系。 薄膜的外延生长 从图5.29可以看出，只要界面两侧的一部分原子获得了匹配，而且其失陪度较小，就可能获得较好的薄膜外延。 薄膜的外延生长 与非外延薄膜生长的层状、岛状模式相仿，外延薄膜的生长方式可分为5.30所示的台阶流动生长与二维形核式生长两种模式。产生这两种不同的生长模式的主要原因是原子在薄膜表面具有不同的扩散能力。 薄膜的外延生长 图5.31是CVD法制备的金刚石同质外延薄膜原子力显微像。 薄膜的外延生长 薄膜外延生长的条件较为苛刻。不仅点阵失配会引发缺陷，其它众多因素，如杂质、衬底表面的氧化或吸附层、衬底中的晶界、位错等显微缺陷、温度、压力、沉积速度及各个沉积参数的波动等都会诱发缺陷的产生。 薄膜的外延生长 2、薄膜外延技术 根据以上有关薄膜外延生长条件的简单讨论我们知道，薄膜外延主要需要高质量的衬底以及高温、低速沉积两方面的条件。目前使用较多的薄膜外延技术可被分为液相外延、气相外延、分子束外延等三种。 液相外延是使衬底与含被沉积组分的过饱和液相相接触，从而获得薄膜外延生长的一种方法。气相外延所采用的方法是各种CVD方法。利用这中方法可以生长出质量很好的外延材料。分子束外延可以被认为是物理气相沉积的一种改进形式。 薄膜的外延生长 薄膜中的应力和薄膜的附着力 薄膜与衬底经常属于完全不同的材料，之间的结合为物理附着或是化学键合。因此，薄膜中普遍存在应力及薄膜材料与衬底之间的附着力。 1、薄膜中应力的测量 广义上讲，薄膜应力指的是存在于薄膜任意断面上，由断面一侧作用于断面另一侧的单位面积上的力。这种应力的分布往往是不均匀的，但在一般情况下，薄膜应力多是指垂直于薄膜表面的断面上的应力平均值。 在一般情况下，即是没有任何外力作用的情况下，薄膜中也总存在着应力。因而，这种薄膜应力又被称为内应力或残余应力。薄膜应力经常称为薄膜应用的限制性环节。 薄膜中的应力和薄膜的附着力 薄膜应力存在的直接结果是在薄膜中要产生应变，因而可以用多种方法进行测量，最为直观的则是有测量薄膜的曲率变化计算薄膜中应力的方法，即应