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第七章 高频功率放大器 主要内容 7.1 概述[2] 7.2 调谐功率放大器(窄带工作) [1] 7.3 调谐功率放大器电路[1] 7.4 丁类高频功率放大器[3] 7.5 宽频带高频功率放大器[2] 7.6 包络消除与恢复功率放大器[3] 7.7 晶体管高频功率放大器的高频效应[3] 7.8 晶体管倍频器[2] 重点和难点 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 掌握丙类调谐功放的工作原理，实际电路的读图、分析，放大器工作状态的调整 宽带功放的工作原理，功率合成及分配 7.1 概述 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 高频功放在发射机中的位置 (图7-1 p209) 前级：强过压，稳定性高 调制：末前级，弱过压，效率高 末级：临界，输出功率大 高频功放和低频功放的异同 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 高频功放和低频功放的共同要求 信号输出功率高 效率η高 高频功放和低频功放的不同之处 工作频率、相对频带、负载不同 电路工作状态、形式和效率不同 (甲类→丙类、丁类)  (表7-1 p210) 不同工作状态时放大器的理想效率 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 (表7-1 p210) (甲类→丙类、丁类)  7.2调谐功率放大器 (选频放大) 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 一、基本电路 图7-2 p211 回路谐振时, 阻抗最大, 呈纯阻特性 vbe=VBB+Vbmcosωt vce=VCC -Vom cosωt Vom cosωt为选频回路选出的基波I1Z) vi幅度大，丙类工作(非线性) ic是余弦脉冲波( I0, I1, I2, ... , In) 7.2调谐功率放大器 (选频放大) 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 (Vomcosωt为选频回路选出的基波I1Z) 二、折线分析法 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 晶体管实际特性折线化 测试、实验得到 折线化的前提要求：工作在低频区 低频区:f工作 0.5fβ  (可忽略内部电抗) 中频区:0.5fβ f工作 0.2fT (内部电抗) 高频区:0.2fT f工作 fT (内部电抗、引线电感等) 2. 静态特性 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 VD为理想折线拐点, 要求大信号工作 3.高频功率放大器动态特性 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 动态特性表达式 设动态特性为理想状态 vbe=VBB+Vbmcosωt vce=VCC –Vomcosωt 消去cosωt : vbe=(Vbm/Vom)(VCC-vce)+VBB 在理想状态下，ic与vce呈线性关系 3.高频功率放大器动态特性 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频功放 7.5 宽频带高频功放 7.6 包络消除恢复功放 7.7 晶体管高频功放的高频效应 7.8 晶体管倍频器 过压区/饱和区 临界线之左 vcevbe Im变化小，基本不受IB控制 欠压区/放大区 临界线之右 vcevbe Im变化大，受IB控制 临界区(分界线) Im在临界线上 vce= vbe 截止区 3.高频功率放大器动态特性 7.1 概述 7.2 调谐功放 7.3 调谐功放电路 7.4 丁类高频