薄膜制备技术.pptVIP

电沉积法虽然工艺简单，但影响因素却相当复杂，薄膜性能不仅决定于电流、电压、温度、溶剂、溶液的pH值及其浓度、还受到溶液的离子强度、电极的表面状态等因素影响，尤其是用电沉积法制备理想的、复杂组成的薄膜材料较为困难。另外，对于基体表面上晶核的生成和长大速度不能控制，制得的化合物半导体薄膜多为多晶态或非晶态，性能不高。 Group 10 * Chemical Bath Deposition （CBD ）vs. CdS Layer 3.8 触媒化学气相沉积 1985年，日本的Matsumura教授采用加热钨丝分解气体的方法，获得了高质量的a-Si:F:H薄膜。作为一种不同于传统化学气相沉积技术的薄膜制备方法，特别是鉴于加热钨丝可能起到的作用，被称为触媒化学气相沉积（Catalytic CVD，简称Cat-CVD）。后来，美国的Mahan教授采用完全一致的方法制备出光照稳定、H含量低的a-Si:H薄膜，并称之为热丝CVD（Hot-Wire CVD）。2000年在日本召开的第一届Cat-CVD（Hot-Wire CVD）国际学术会议更促进了这种新型化学气相沉积技术的发展。 图2－3 Cat-CVD系统装置示意图 在真空条件下，将热丝加热到1500～2500°C的高温，通入含有薄膜材料组分的源气体，气体通过热丝时，在热丝的催化作用下被分解为活性基团，这些活性基团在800～1