应力作用下CrSi2电子结构的第一性原理计算ViewTableofContents.PDF

应应力力作作用用下下CrSi 电电子子结结构构的的第第一一性性原原理理计计算算 2 周士芸, 谢泉, 闫万珺 and 陈茜 Citation: 中国科学G : 物理学 力学 天文学 39, 587 (2009); doi: 10.1360/2009-39-4-587 View online: ttp://engine.scic /doi/10.1360/2009-39-4-587 View Table of Contents: ttp://engine.scic /publis er/scp/journal/SCSGPMA/39/4 Publis ed by t e 《中国科学》杂志社 Articles you may be interested in CrSi 电子结构及光学性质的第一性原理计算 2 Science in C ina Series G-P ysics, Mec anics Astronomy (in C inese) 39, 175 (2009); BaSi2 电子结构及光学性质的第一性原理计算 Science in C ina Series G-P ysics, Mec anics Astronomy (in C inese) 39, 260 (2009); Mg Si电子结构及光学性质的第一性原理计算 2 Science in C ina Series G-P ysics, Mec anics Astronomy (in C inese) 38, 825 (2008); Ru Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算 2 3 Science in C ina Series G-P ysics, Mec anics Astronomy (in C inese) 39, 1431 (2009); 闪锌矿结构BN, AlN和GaN的介电和动力学性质的第一性原理计算 Science in C ina Series G-P ysics, Mec anics Astronomy (in C inese) 38, 1008 (2008); 中国科学 G 辑:物理学 力学 天文学 2009 年 第 39 卷 第 4 期 : 587 ~ 591 SCIENCE IN CHINA PRESS 应力作用下CrSi2 电子结构的第一性原理计算 ①② ①* 珺① ① 周士芸 , 谢泉 , 闫万 , 陈茜 ① 贵州大学电子科学系, 贵州大学新型光电子材料与技术研究所, 贵阳 550025; ② 贵州安顺学院物理系, 安顺 561000 * 联系人, E-mail: qxie@ 收稿日期: 2008-03-14; 接受日期: 2008-06-13 国家自然科学基金(批准号: 、教育部博士点专项科研基金(编号: 20050657003)、贵州省优秀科技教育人才省长专项 基金、贵州省优秀青年科技人才培养计划项目(编号: 黔科合人 、教育部留学回国科研基金(编号: 教外司(2005)383)、贵州省 留学人员科技项目(编号: 黔人项目(2004)03)和省委组织部高层次人才科研资助项目 摘要 应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi 在 关键词 2 应力作用下的电子结构, 分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2 体系电子 CrSi2 结构的影响. 计算结果表明 CrSi2 在单轴向应力的作用下, 随着压力的逐渐增大, 导带向 第一性原理