原位合成MoSi2一SiC复合材料的室温增韧-金属学报.PDF

第 37卷 第 1期 金 属 学 垃 V01．37 No1 2001年 1 月 ACTAMETALLURGICA SINICA Janusxy2001 原位合成MoSi2一SiC复合材料的室温增韧 孙祖庆 张来启 杨王明 傅晓伟 at京科技大学新金属材料国家重点实验室．北京 100083) (北京科技大学材料科学与工程学院，北京 100083) 朱 静 (清华大学材料科学与工程学院，北京 100080) 摘 要 原位合成MoSiz—SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性 组织结构的TEM 与HREM 研究结 果表明：原位合成MoSi2／SiC界面为直接的原子结台．无SiOz非晶层存在．结合对该复合材料的Klc断口形貌及压痕裂纹连 续扩展路径的观察分析表啊．其室温增韧机制为 MoSb SiC 界面间较高的结合力、MoSiz基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接 关键调 MoSi~一SiC复台材料．原位舍成．断裂，室韫增韧 中图法分类号 TGII3．25．TG148 文献标识码 A 文章编号 0412—1961(2001)01—0104—05 T0UGHENING OF M oSi2-SiC C0M P0SITE SYNTHESIZED IN SITU SUN Zuqinn TheStateKeyLaboratoryforAdvancedMetalsandMaterials，UnivemityofScience＆TechnologyBeljing，Beliing 100083 ZHANG La{qi，YANG Wangyue，FU Xiaowei SchoolofMaterialsScienceandEngineeringlUniversityofScience＆TechnolovBeringlBeijing100083 zHU Jtnq InstituteofMaterialsScience＆ Engin~rmg，TsinghuaUniversity,Beliing100084 Correspondent．sUNZuqing，professor, ：o《l0Fax：0《lo E-mail：zqs @郴 t6．edu．cn M anuscriptreceived2000-05-19 inrevisedform 2000-09-15 ABSTRACT TheexperimentalresultsofmechanicalbehaviorofMoSi2SiC compositesynthesized in 协 show thatthefra~tltretoughnessofthecompositeatroom temperatureissignmcantlyhigher thantha tofthemonolithicMoSi2．TheTEM andHREM observationsrevealthattheMoSi2一SiC inter- faceisatomicallyabrupt，freefromamorphousphase(SiO2)．Basedontherfactographyinvestigation andOilthecrackpropagationpathsafterindentation，itwasproposedtha ttoughening mechanisms ofcompositeatroom temperaturecanbeattributedtohigherinterfac ebnidingenergy M oSizgrain