应用双向反射分布函数量测技术的多方位光学散射光量测系统之研发.PDFVIP

應用雙向反射分佈函數量測技術的多方位光學散射光量測系統之研發 劉承揚 劉子安 傅尉恩 工研院量測中心 工研院量測中心 工研院量測中心 CY_Liu@itri.org.tw liutzean@itri.org.tw WeienFu@itri.org.tw 摘要 奈米微粒分布及粒徑量測是半導體製程中相當重要的量測參數，其基本要求即是晶圓表面奈米微 粒之尺寸大小、數量及分布。針對此需求，本文提出一奈米級的多方位偏振散射光量測系統，我們將 此量測系統分成三個部分，包括偏振光源裝置、待測物運動機構和光接收裝置等，將這三個部分整合 即可成為奈米級的散射光微粒量測系統，可量測的微粒直徑範圍為 100 nm～1 μm ，並可承載4～8吋 的晶圓進行量測。 關鍵字：散射光量測、晶圓表面奈米微粒、多軸方向調整器 壹、 前言 在半導體與平面顯示器的製程當中，晶圓表面加工前後的品質對於往後成品的良率有直接的影 響。因此在任何加工前或清洗後，晶圓表面的品質檢測，包括缺陷或微粒等，均是非常重要的量測參 數。偵測奈米級微粒的散射光藉以判斷其粒徑大小與分佈是一個非常有效的量測方法。近年來，美國 標準與技術研究院的 Germer 博士在這方面有相當傑出的研究成果[1] ，包括奈米微粒散射光的計算理 論建立以及偏振散射光的量測系統等，並推行晶圓表面奈米微粒量測的能力比對，從以了解各種奈米 級光學量測設備量測能力。本文主要為建立一晶圓表面微粒檢測系統，藉由改變入射光的偏振態，量 測散射光的雙向反射分佈函數（ bidirectional reflectance distribution function ，BRDF ）[2] ，經由Mueller 矩陣的計算來歸納出偏振光強與粒徑大小的關係。 貳、 散射光量測理論 晶圓表面微粒可以依下列光散射的幾何光路來判斷 [2] 。雷射以角度 入射晶圓表面，如圖 1所示。 產生角偏的散射光，並與圖中 Z軸夾角為 。從Rayleigh的光散射理論來說，當微粒直徑遠小於光波 長時，散射光源可視為點偏振 dipole 。光源入射晶圓表面微粒後，產生之反射光也會照射在微粒上， 形成 dipole ，產生半圓的散射光。我們可以根據BRDF 來定義由微粒所產生的散射光函數[3] ，如下所 示： ∂Φ 1 f ( ) r （1） θ φ ,θ ,φ , i i r r ω ∂ Φθ cos i r ∂Φ 其中 r 為每固定角度的散射光強度， Φ 為入射光強度，θ 為散射光極角，φ 為散射光方位角，θ ∂ω i r r i 為入射光極角，φ為入射光方位角。 i 首先，若我們可設定 θ °θ 45 和 φ 90° ，即可量測表面微粒的散射光能量大小。我們設計 i r r 一個可以 4 方向旋轉的方向調整器（goniometer ）用來承載待測晶圓，以便進行旋轉與掃描晶圓表面 的動作，如此可以量測整個晶圓表面上的粒徑大小與分佈。為了有效的量測奈米微粒各種散射光的強 度，必須設計一個可以多方向旋轉的運動機構來加以配合。如圖 2所示，為一個可以四個角度旋轉的 方向調整器設計，其可旋轉角度分別為