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第３９卷 第６期 发 光 学 报 Ｖｏｌ３９ Ｎｏ６
２０１８年６月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｊｕｎｅꎬ２０１８
文章编号:１０００￣７０３２(２０１８)０６￣０７９０￣０５
有机分子ＰＴＣＤＡ在Ｐ型Ｓｉ单晶(１００)晶面的生长机理
１∗ ２ ２
张 旭 ꎬ张 杰 ꎬ张福甲
(１. 兰州文理学院 电子信息工程学院ꎬ甘肃 兰州 ７３００００ꎻ ２. 兰州大学 物理科学与技术学院ꎬ甘肃 兰州 ７３００００)
摘要:对ＰＴＣＤＡ 的分子结构及其化学键的形成进行了分析ꎬ并讨论了晶面指数(１００)Ｓｉ单晶的晶格结构ꎮ
在此基础上ꎬ评述了ＰＴＣＤＡ分子在Ｐ￣Ｓｉ单晶(１００)晶面上生长的机理ꎬ并制备了样品ＰＴＣＤＡ/ Ｐ￣Ｓｉ(１００)ꎮ 利
用ＸＲＤ对样品测试得出ꎬ在Ｐ￣Ｓｉ(１００)晶面上沉积的ＰＴＣＤＡ薄膜中仅存在α物相ꎮ 利用ＸＰＳ对样品测试得
出ꎬ在其界面层中ＰＴＣＤＡ酸酐中的４个羟基Ｏ原子与Ｃ原子结合ꎬ其结合能为５３２.４ ｅＶꎻ苝核基团外围的８
个Ｃ、Ｈ原子以共价键结合ꎬ其结合能为２８９.０ ｅＶꎻ在界面处ꎬ悬挂键上的Ｓｉ原子与ＰＴＣＤＡ酸酐中的Ｃ、Ｏ原
子结合ꎬ形成Ｃ—Ｓｉ—Ｏ键及Ｃ—Ｓｉ键ꎬ构成了界面层的稳定结构ꎮ
关 键 词:有机半导体材料ＰＴＣＤＡꎻＰ￣Ｓｉ(１００)晶面ꎻ生长机理
中图分类号:ＴＮ３０５.９３ 文献标识码:Ａ ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０７９０
Ｇｒｏｗｉｎｇ Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｍｏｌｅｃｕｌｅ ＰＴＣＤＡ ａｔ
Ｐ￣ｔｙｐｅ Ｓｉ Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌ(１００) Ｃｒｙｓｔａｌ Ｆａｃｅ
１∗ ２ ２
ＺＨＡＮＧ Ｘｕ ꎬＺＨＡＮＧＪｉｅ ꎬＺＨＡＮＧ Ｆｕ￣ｊｉａ
(１. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇꎬＬａｎｚｈｏｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ａｒｔｓ ａｎｄ ＳｃｉｅｎｃｅꎬＬａｎｚｈｏｕ７３００００ꎬＣｈｉｎａꎻ
２. Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＬａｎｚｈｏｕ ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＬａｎｚｈｏｕ７３００００ꎬＣｈｉｎａ)
∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:３０３８８０６０６＠ｑｑ.ｃｏｍ
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｂｏｎｄｓ ｏｆ ｏｒｇａｎｉｃ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＰＴＣＤＡｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄꎬａｎｄｔｈｅｌａｔｔｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ ｃｒｙｓｔａｌｐｌａｎｅｉｎｄｅｘ (１００)Ｓｉｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓ￣
ｔａｌ ｗａｓ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ. Ｏｎ ｔｈｉｓ ｂａｓｉｓꎬｔｈｅ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｔｈｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ＰＴＣＤＡ ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌ
ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ Ｐ￣Ｓｉ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ(１００) ｗａｓ ｒｅｖｉｅｗｅｄꎬａｎｄ ｔｈｅ ｓａｍｐｌｅ ＰＴＣＤＡ/ Ｐ￣Ｓｉ(１００) ｗａｓ ｐｒｅ￣
ｐａｒｅｄ. Ｘ￣ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ(ＸＲＤ) ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅｒｅ ａｒｅ ｏｎｌｙ α￣ＰＴＣＤＡ ｐｈａｓｅｓ
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