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第33卷摇 第8期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾33 No郾8
2012年8月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Aug. ,2012
文章编号:1000鄄7032(2012)08鄄0869鄄04
电子束辐照对 GaN基LED发光性能的影响
1,3 1,3 2,3* 2,3
于莉媛 ,牛萍娟 ,邢海英 ,侯摇 莎
(1. 天津工业大学 电气工程与自动化学院,天津摇 300387;
2. 天津工业大学 电子与信息工程学院,天津摇 300387;
3. 大功率半导体照明应用系统教育部研究中心,天津摇 300387)
摘要:研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(Light emitting diode,LED)发光性能的影响。 利
用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基LED外延片进行1.5,3.0,4.5 MeV 电子束辐照实验,并
应用光致发光(Photoluminescence,PL)谱测试发光性能。 结果表明:在1.5 MeV 电子束辐照下,采用10 kGy剂
量辐照时,LED的发光强度增加约25%;而在100 kGy剂量辐照时,LED 的发光强度降低约16%。 3 MeV 的
电子束辐照可使原来色纯度不高的LED的色纯度变好,而更高能量的辐照将会引起器件失效。
关摇 键摇 词:电子束辐照;LED;发光性能;氮化镓
中图分类号:TN305.94 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0869
Influence of Electron Beam Irradiation on
The Luminescence Properties of GaN鄄based LED
1,3 1,3 2,3* 2,3
YU Li鄄yuan ,NIU Ping鄄juan ,XING Hai鄄ying ,HOU Sha
(1. School of Electrical Engineering andAutomation,Tianjin Polytechnic University,Tianjin300387,China;
2. School of Electronics and Information Engineering,Tianjin Polytechnic University,Tianjin300387,China;
3. Engineering Research Center of High Power Solid StateLighting Application System,
Tianjin Polytechnic University,Ministry of Education,Tianjin300387,China)
*Corresponding Author,E鄄mail:hy.xing@
Abstract:Theinfluenceof different energy electronbeamirradiationontheluminescenceproperties
of GaN鄄basedLEDhasbeenstudied. GaN鄄basedLEDepitaxialwafersar
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