场效应管放大器.pptVIP

? 分压式自偏压电路 vDS =VDD – iD(Rd +R) （Rg3中无电流） 求得VGS、ID、 VDS。 Cb1 C + – R g d s T 3DJ2 Rg2 +VDD Cb2 0.01?F 0.01?F +18V 2k? 47k? 10?F 图3－14 + – Rg3 10M? Rg1 2M? Rd 30k? 2. 图解法求Q点 （以3－13图为例） ? 在输出特性曲线上作直流负载线MN ? 对应直流负载线作负载转移特性曲线 vDS =VDD – iD(Rd +R) ? 作源极负载线L ? L与负载转移特性的交点即Q点 vGS = – iD·R ? 求得Q点所对应的值： VGS= – 0.7V ID = 0.37mA VDS = 9V 图3－15 M N iD(mA) vGS(V) 0.5 0.25 1 –0.5 –1 –1.5 0 0.5 L iD(mA) vGS=0V vDS(V) 1 5 0 10 15 20 –0.5 –1 0.5 Q –1.5 0.5 b? a? c? d? e? Q d a b c e 二、场效应管放大器的微变等效电路分析法 1. 场效应管的微变等效电路 条件：? 信号是微变量 ? 管子工作在线性区 ?无栅流。所以输入g、s间相当于一个很大的电阻 用rgs表示 输出 iD = f (vDS , vGS ) (依输出特性得来) 用相量表示 ? g s d rgs rd + – – + 图3－16 vGS vDS d s g + – + – iD (a) ? g s d rgs rd + – – + (b) 场效应管放大器 学习内容：? 场效应管（简称FET）工作原理及特性曲线 ? FET放大器 学习方法：和三极管及基本放大器对照学 第三章 §3.1 结型场效应管（JFET） 一、JFET的结构和工作原理 1. 结构、符号 g s d (b) 图3－1 P+ s g d N N P+ (a) 源极 漏极 栅极 图3－2 箭头表示PN结方向（P?N） N+ s g d P P N+ (a) 源极 漏极 栅极 g s d (b) 2. 工作原理（以N沟道管为例） ? 令vDS=0，看耗尽层的变化即沟道的宽窄 在g和s（PN结）间加一反偏vGG，即vGS为负值。 | vGS|?，耗尽层均匀增加，沟道均匀变窄，见图3－3。 vGS P+ s g d N N P+ 图3－3 | vGS|?? ， vGS= VP。沟道被夹断。见图3－4。 VP：夹断电压 图3－4 耗尽层 vGS P+ s g d N P+ vDS g 耗尽层 iD?0 即使加vDS， iD亦为0。 ? 令vGS=0，看iD和vDS的关系 P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD= 0 图3－5 (a) a. vDS=0， iD=0 见(a)图 b. vDS?，沟道电场强 度?（以这为主） ? iD? 但从源极到漏极，产生一个沿沟道的电位梯度，使加在PN结上的反偏由靠近源极的o到vDS。因此靠漏极 耗尽层宽，靠源极耗尽层窄，沟道成楔形。见(b)图。 P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD迅速增大 VDS 图3－5 (b) c. vDS?? ，两边耗尽层在A点相遇，称为预夹断， 此时g点和A点间电压为VP。即 vGS – vDS = VP 见(c)图。 （此后G与沟道中哪点电位差为VP。即某点PN结所加反偏为|VP|，哪点被夹断） P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD趋于饱和 VDS 耗尽层 A 图3－5 (c) d. vDS??? ， iD不变 夹断长度? （vDS不能控制iD） P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD饱和 VDS 耗尽层 A 图3－5 (d) ? 要使iD减少，须加负的vGS。 vGS 越负， iD越小。体现了vGS对iD的控制作用。 （vGS 产生的电场变化控制iD ，称为场效应管） P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD饱和 VDS 耗尽层 A vGS 3. JFET的特性曲线及参数 ? 输出特性 I区：可变电阻区。vGS越负，漏源间等效交流电阻越大。 II区：饱和区（恒流区，线性放大区） III区：击穿区。vDS太大，加到G、D间PN结反偏太大，致使PN结雪崩击穿，管子不能正常工作，甚至烧毁。 图3－6 0 4 81012 16 20 0.2 0.4 0.6 0.8 预夹断 A B C II III I vDS(V) iD(mA) –0.4 –0.8 vDS＝10(V) ? 转移特性 a. 讨论输入特性无意义 b. 转移特性是在输出特性上描点而得。 图3－7 A