MOS管驱动电阻问题.pdfVIP

MOS 管驱动电阻怎么选择,给定频率,MOS 管的Qg 和上升沿怎么计算用多大电 阻 首先得知道输入电容大小和驱动电压大小,等效为电阻和电容串联电路,求出电 容充电电压表达式,得出电阻和电容电压关系图 MOS 管的开关时间要考虑的是Qg 的,而不是有Ciss,Coss 决定,看下面的Data. 一个MOS 可能有很大的 输入电容,但是并不代表其导通需要的电荷量Qg 就大, Ciss(输入电容)和Qg 是有一定的关系,但是还要考虑MOS 的跨导y. MOSFET 栅极驱动的优化设计 1 概述 MOS 管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开 关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI 小。这两方面往往是互相 矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包 含两部分内容：一是最优的驱动电流、电压的波形；二是最优的驱动电压、电流 的大小。在进行驱动电路优化设计之前，必须先清楚MOS 管的模型、MOS 管的开 关过程、MOS 管的栅极电荷以及MOS 管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等 参数对驱动的影响。 2 MOS 管的模型 MOS 管的等效电路模型及寄生参数如图1 所示。图1 中各部分的物理意 义为： （1）L 和L 代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。 G G （2）C 代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。 1 （3）C2+C4 代表从栅极到源极P 区间的电容。C 是电介质电容，共值是 2 固定的。而C4 是由源极到漏极的耗尽区的大小决定，并随栅极电压的大小而改 变。当栅极电压从0 升到开启电压U 时，C 使整个栅源电容增加10%～15%。 GS （th） 4 （4）C +C 是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成，当漏 3 5 极电压改变极性时，其可变电容值变得相当大。 （5）C 是随漏极电压变换的漏源电容。 6 MOS 管输入电容（C ）、跨接电容（C ）、输出电容（C ）和栅源电容、 iss rss oss 栅漏电容、漏源电容间的关系如下： 3 MOS 管的开通过程 开关管的开关模式电路如图2 所示，二极管可是外接的或MOS 管固有的。 开关管在开通时的二极管电压、电流波形如图3 所示。在图3 的阶段1 开关管关 断，开关电流为零，此时二极管电流和电感电流相等；在阶段2 开关导通，开关 电流上升，同时二极管电流下降。开关电流上升的斜率和二极管电流下降的斜率 的绝对值相同，符号相反；在阶段3 开关电流继续上升，二极管电流继续下降， 并且二极管电流符号改变，由正转到负；在阶段4，二极管从负的反向最大电流 IRRM 开始减小，它们斜率的绝对值相等；在阶段5 开关管完全开通，二极管的反 向恢复完成，开关管电流等于电感电流。 图4 是存储电荷高或低的两种二极管电流、电压波形。从图中可以看出 存储电荷少时，反向电压的斜率大，并且会产生有害的振动。而前置电流低则存 储电荷少，即在空载或轻载时是最坏条件。所以进行优化驱动电路设计时应着重 考虑前置电流低的情况，即空载或轻载的情况，应使这时二极管产生的振动在可 接受