基于0.18μm工艺SOI技术60VLDMOS的设计与分析探究.pdfVIP

第36卷 第2期 电 子 器 件 Vo1．36 No．2 2013年 4月 ChineseJoumaIofElectronDevices Apr．2013 0．18tan60V SOILDNMOSTechnologyDesignandAnalysis QIFan，TANBaimei ，WENGKun，SONGWen (1．I~tituteofMicroelectronics，HebeiUnivers ofTechnology，Tianfin30000，China； 2．FufianKeyLaboratoryofMicroelectronics＆IntegratedCircuits，FuzhouUniversity，Fuzhou350002，China) Abstract：W iththeever—shrinkingsizeofpowerdevices。theattentionofSOItechnologyisincreasing．60VLDMOS devicesweredesignedandanalyzedbasedonSO1technoloyg with0．18 ixm processbyusingSILVACO company process(Athena)anddevice(Atlas)simulationsoftware．Thedeviceswereresearchedbythedifferentchannel width．Th eDC characteristicsofdeviceswereanalyzedbytapeoutresults．Therefore．thesignificantinfluenceofthe devicesfloatingbodieseffectandkinkeffectbroughtbytheburiedoxidelayerinSOIdevicearenotobvious．The designhasrealizedaverygoodoptimized60V LDM0Sinsmallersize． Keywords：silicon—on—insulator；LDMOS；devicetapeouttest；devicestructure；DC characteristic EEACC：2530；2560 doi：10．3969／j．issn．1005—9490．2013．02．001 基于0．18IJLm工艺SOI技术 6OVLDMOS的设计与分析木 戚 帆 ，檀柏梅 ，翁 坤 ，宋 雯 (1．河北工业大学微 电子技术与材料研究所 ，天津 300130；2．福州大学福建省微 电子集成 电路重点研究室，福州 350002) 摘 要：随着功率器件尺寸的不断缩小，绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。在0．18m工艺条件下基于SOI技术，运 用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件 ，完成了对60VLDMOS的设计与分析，对不同沟道管宽度 的器件进行研究，并结合实际流片的测试结果，对器件直流性能进行了表征与分析，发现SOI器件无明显的由氧化埋层隔离作 用所产生的显著影响器件性能的浮体效应和kink效应，实现了性能优 良的小尺寸6OVLDMOS器件。 关键词 ：绝缘体上硅；LDMOS；器件流片测试；器件结构；直流特性 中图分类号：TN386 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005-9490(2013)02-0139-04 随着 电子科学技术的迅猛发展，纳米级 (100nm (LateralDouble-DiffusedMetal-OxideSemiconductor，横 以下)加工的CMOS电路已逐渐成为研究工作的重心 向扩散金属氧化物半导体)，并对这些参数进行了on— 以及产业生产主流 。SOI(Silicon—On—Insulator)技 wafer特生『表征。 术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层，在 1 器件结构及分析 它上面的si薄层内制作M