- 1、本文档共99页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
课件:ARM嵌入式接口技术应用》第三章存储器.ppt
3.性能差别 NOR型Flash的地址线和数据是分开的,程序可以在芯片内行; NOR型比NAND型的读速度快。 NAND型的擦除单元更小。 NAND型的擦除速度远比NOR型快。 NAND型写入的速度比NOR型快。 4.容量和成本 NAND型Flash具有极高的单元密度,容量可以做到比较大。 NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。 5.软件支持 在NOR型Flash上运行代码不需要任何的软件支持,NAND型Flash通常需要驱动程序MTD支持,NAND型与NOR型在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 思考与练习 1、一般来讲,嵌入式系统中程序保存在哪里,数据存放在哪里? 2、请问目前市场有哪些种类的ROM,目前使用最多是哪种ROM? 3、与ROM相比,RAM存储器有什么特点? 4、CAT24WC16芯片支持“字节写”和“页写”两种模式,这两种模式在时序上有什么区别? 5、CAT24WC16芯片有哪三种读操作方式,“当前地址读”与“随机地址读”相比,在时序上有什么区别? 6、IS61LV25616AL芯片内部有哪些模块组成,芯片有多少根地址线,这些地址线最大能寻址多大的范围? 7、SST39VF1601芯片可工作在哪3种模式下,如何控制该芯片的工作模式? 8、SST39VF1601芯片有多少个块,每个块中有多少个扇区,每个扇区有多少个字节,芯片总共容量大小是多少? 9、请简要阐述一下SST39VF1601芯片的半字数据写操作步骤。 10、K9F6408U0C芯片总共有多少个引脚,其中控制引脚是哪些,数据IO引脚是哪些,状态引脚是哪些? 11、请简要阐述一下K9F6408U0C芯片的内部组织结构? 12、K9F6408U0C芯片支持两种页读方式,这两种页读方式有何不同? 13、在操作K9F6408U0C芯片的过程中,如何读取芯片的状态寄存器,读取状态寄存器有何作用? 后面内容直接删除就行 资料可以编辑修改使用 资料可以编辑修改使用 资料仅供参考,实际情况实际分析 主要经营:课件设计,文档制作,网络软件设计、图文设计制作、发布广告等 秉着以优质的服务对待每一位客户,做到让客户满意! 致力于数据挖掘,合同简历、论文写作、PPT设计、计划书、策划案、学习课件、各类模板等方方面面,打造全网一站式需求 注释: A22~A9:页地址选择线,整个存储容量为16 K页(214=16 k)。 A8~A0:页内地址选择线,其中A8由命令寄存器发出,选择前或后半页,A0~A7选择半页中的地址空间,半页的地址空间为256 Byte(28=256)。 * * * #define Ssize 4096 //一个扇区4096个字节大小 extern uint32 JUMP(uint32 addr); //声明跳转函数 /************************************************************************** * 名称:main() * 功能:首先擦除第6号扇区,然后找到BEE_Function函数地址,将BEE_Function函数复制到第6号扇区,最后将程序跳转到第6号扇区起始处运行。 *************************************************************************/ int main (void) { uint16 i,Data1; uint32 Addr,Data,*P; SST_SErase(6); //擦除6号扇区 P = (uint32 *)BEE_Function; //指针指向BEE_Function函数 Addr = 0+ (Ssize * 5); //地址Addr指向第6个扇区的开始位置 主函数main。 for(i=0;i200;i++) //数据写入 { Data = *P; Data1 = (uint16)Data; SST_Write(Addr,Data1); Data1 = (uint16)(Data16); SST_Write(Addr+2,Data1); P++; Addr+=4; } Addr = 0+ (Ssize * 5); JUMP(Addr); //程序跳转到第6号扇区运行 return(0); } 五、Nand-Flash存储器件 NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失性闪存技术。Nand-Flash存储器结构则能提供极高的单元密度,可以达到很大的存储容量
您可能关注的文档
- 课件:《肿瘤患者心理护理》PPT课件.ppt
- 课件:《肿瘤内分泌治疗》PPT课件.ppt
- 课件:《肿瘤生物治疗进展》PPT课件.ppt
- 课件:《肿瘤手术治疗》PPT课件.ppt
- 课件:《种烟草病毒TMV》PPT课件.ppt
- 课件:《重大疾病责任认定》PPT课件.ppt
- 课件:《重大医疗事故》PPT课件.ppt
- 课件:《重视安全健康成长》PPT课件.ppt
- 课件:《重视病历书写》PPT课件.ppt
- 课件:《重症病人营养支持》PPT课件.ppt
- 2023年江苏省镇江市润州区中考生物二模试卷+答案解析.pdf
- 2023年江苏省徐州市邳州市运河中学中考生物二模试卷+答案解析.pdf
- 2023年江苏省苏州市吴中区中考冲刺数学模拟预测卷+答案解析.pdf
- 2023年江苏省南通市崇川区田家炳中学中考数学四模试卷+答案解析.pdf
- 2023年江西省吉安市中考物理模拟试卷(一)+答案解析.pdf
- 2023年江苏省泰州市海陵区九年级(下)中考三模数学试卷+答案解析.pdf
- 2023年江苏省苏州市高新二中中考数学二模试卷+答案解析.pdf
- 2023年江苏省南通市九年级数学中考复习模拟卷+答案解析.pdf
- 2023年江苏省南通市海安市九年级数学模拟卷+答案解析.pdf
- 2023年江苏省泰州市靖江外国语学校中考数学一调试卷+答案解析.pdf
文档评论(0)