原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
2016年1月15日 现代电子技术 Jan．2016
第39卷第2期 ModernElectronics V01．39No．2
Technique
8
doi：10．16652／j．issn．1004—373x．2016．02．0l
基于ARM的大容量NANDFLASH应用
高杨，管雪元
(南京理工大学瞬态物理国家重点实验室，江苏南京210094)
摘要：针对基于ARM的大容量NANDFLASH应用中的问题进行研究，发现ARM的可变静态存储控制器模块只有2个
NAND
FLAsH片选引脚，无法直接提供大容量NANDFLASH所需的4个片选信号；NANDFLAsH存储以页为单位，对于
不足1页的数据无法进行存储。通过对ARM的引脚复用功能和NANDFLASH的工作特点进行研究，提出了自定义
NAND
FLASH片选信号解决片选不足，通过对数据进行填充解决不足1页的数据无法存储的问题。最终通过实验进行验
证，保证了基于ARM的大容量NANDFLASH可以充分有效的应用。
关键词：ARM处理器；片选；大容量存储；NAND闪存
中图分类号：TN710．34；TP333 文献标识码：A
on NANDFLASHbasedonARM
Applicationlargecapacity
GA0
Yang，GUANXueyuan
(NationalLabonTTan8ient ofscienceand
K8y Physics．Nanj；“guniversiq Technology。Nanji“g210094，china)
Abstract：The in ofthe NANDFLASHbasedonARMare
questionsexistingapplicationlargecapacity
nexiblestatic ofARM hastwo for selectionbutcannot four se—
contmller(FSMC)module
memory only pins chip providechip
lection NAND the ofFLASHNANDisbasedontheunitof
FLASH，and
signalsrequiredbyla唱ecapacity storage page，which
cannotstorethedataoftheinsufficientresearchonthe functionsofARMand characteristics
page．By multiplexing pin working
ofNAND self．definitionofNANDFLASHselectionis tosolvethe of
FLASH，the chip signalproposed problempininsumciency
indatais as methodveri-
andfhe tosettlethe
文档评论（0）