苯并噻吩类稠环有机半导体材料的合成及在场效应晶体管中-应用化学.PDF

第２７卷 第５期 应 用 化 学 Ｖｏｌ．２７Ｎｏ．５ ２０１０年５月 　　　　　　　ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＡＰＰＬＩＥＤＣＨＥＭＩＳＴＲＹ　　　　　　　 Ｍａｙ２０１０ 檵檵檵檵殝 檵 殝 殝檵 综合评述殝 檵檵檵檵 苯并噻吩类稠环有机半导体材料的合成 及在场效应晶体管中应用研究的进展 ａ ｂ 张玉梅 　裴　坚 ａ ｂ （河北科技大学理学院　石家庄０５００１８；北京大学化学与分子工程学院　北京） 摘　要　总结了苯并噻吩类稠环化合物半导体材料的最新研究进展，对其合成方法及结构与性能进行了归 纳，介绍了它们在有机场效应晶体管中的应用，并对其研究和应用前景进行了展望。 关键词　苯并噻吩，有机场效应晶体管，合成 中图分类号：Ｏ６４９．５　　　　　文献标识码：Ａ　　　　　文章编号：１００００５１８（２０１０）０５０４９７０８ ＤＯＩ：１０．３７２４／ＳＰ．Ｊ．１０９５．２０１０．９０４０７ ［１］ 自１９８６年第一个有机场效应晶体管（ＯＦＥＴ）问世以来 ，ＯＦＥＴ以其良好的柔韧性、低成本及可制 备大面积器件等优点而受到广泛关注。目前，对其材料性能和器件制备技术均取得了明显的进步，在电 子报纸、传感器件、包括射频识别卡在内的存储器等领域均展现出广泛应用前景。 １　有机场效应晶体管的主要性能指标 ＯＦＥＴ最重要参数是场效应迁移率 和电流开关比Ｉ／Ｉ。迁移率越高器件集成电路的比特速率 μ ｏｎ ｏｆｆ ２ ３［２］ 就越快，对于任何可能的实际应用，要求ＯＦＥＴ的迁移率至少达到００１ｃｍ／（Ｖ·ｓ），开关比大于１０ 。 ［３］ ＯＦＥＴ的迁移率与有机半导体材料的分子结构有关，特别是受分子的共轭性及聚集态堆积所影响 。 ［４］ ＯＦＥＴ在数字电路、电子纸和ＯＬＥＤ显示驱动器等应用中，开关比是一个非常关键的参数 ，高性 能ＯＦＥＴ材料的场效应迁移率和开关比应尽可能高。因此，合成高迁移率和高稳定性的新型有机半导 体材料成为众多学者的研究方向。 ２　有机半导体材料研究进展 ＯＦＥＴ用的有机半导体材料按其分子形态可分为聚合物半导体和小分子化合物半导体２种。因为 有机小分子半导体材料可溶于许多有机溶剂，因而具有以下优点：１）通过萃取、吸附和重结晶等手段进 行纯化而获得高纯度材料；２）因分子小，分子的平面性比较规则，因而用其制成的ＯＦＥＴ载流子迁移率 高；３）易形成自组装多晶膜，晶格缺陷少，载流子迁移势垒低，比较容易得到单晶，可提高其 ＯＦＥＴ的场 效应迁移率。 迄今为止，并五苯类稠环线型化合物（图１）因其分子堆积有序度和迁移率很高而被认为是理想的 图１　并五苯的分子结构 Ｆｉｇ．１　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｐｅｎｔａｃｅｎｅ ２００９０６１８收稿，２００９１００９修回 通讯联系人：张玉梅，女，博士，副教授；Ｅｍａｉｌ：ａｍｙｚｈａｎｇ＠ｈｅｂｕｓｔ．ｅｄｕ．ｃｎ；研究方向：手性化合物及有机光电材料的合成 ４９８ 应 用 化 学　　　　　　　　　　　　　　　　　　　第２７卷