变频器功率单元基本原理和常见故障分.docVIP

功率单元基本原理及常见故障分析 第一部分 功率单元基础知识及基本原理 一、功率单元基础知识 1．什么是功率单元 功率单元是使用功率电力电子器件进行整流、滤波、逆变的高压变频器部件。 功率单元是构成高压变频器主回路的主要部分。 2．我公司功率单元的型号定义 PC ××× 罗马数字： IGBT的额定电流值 功率单元（英文Power Cell的简写 ） 例如：PC100表示配置IGBT 额定电流为100A的功率单元。 3. 功率单元上主要电力电子器件简介 1）整流桥 其作用是整流（将交流变成直流）。我公司使用的整流桥内部封装形式有以下两种，图1所示的封装内部有6只整流二极管，用在功率单元的三相输入端；图2所示的封装内部有2只整流二极管，用在功率单元的三相输入端以及旁通回路中。 图2 封装2只整流二极管的整流桥模块图1 封装6只整流二极管的整流桥模块 图2 封装2只整流二极管的整流桥模块 图1 封装6只整流二极管的整流桥模块 目前我公司使用的整流桥品牌有： Semikron 、Eupec； 使用的整流桥电压等级有：1400V、1800V； 例如：SKD62/18、SKKD260/14。 2）可控硅 可控硅使用在充电电路和旁通回路上，均起“开关”作用。我公司使用的可控硅内部封装形式如图3所示： 图3 可控硅模块目前我公司使用的可控硅品牌有：Semikron； 图3 可控硅模块 使用的可控硅电压等级有：1400V、1800V； 例如：SKKH57/18E、SKKT210/14E。 3）电解电容 其作用是对整流桥整流后的直流进行滤波。 目前我公司使用的电解电容品牌有：NICHICON（日本）、BHC（英国）、CDE（美国）。 使用的电压等级有： 400V。 使用的容量有3300uF、6800uF、10000uF。 4) IGBT 其作用是逆变（将直流变为交流）。我公司目前使用的IGBT大部分为“双管”（内部封装了两组IGBT模块），内部封装示意图如图4所示： 图4 IGBT模块封装示意图 图4 IGBT模块封装示意图 目前我公司使用的IGBT品牌有：Eupec、Semikron； 使用的IGBT电压等级有：1200V、1700V； 使用的IGBT电流等级有：75A、100A、150A、200A、300A、400A等； 例如：BSM100GB170DLC、FF400R12KE3。 二、功率单元拓扑结构 1．主回路拓扑结构 如图5所示。 图5 功率单元主回路拓扑结构图 图5 功率单元主回路拓扑结构图 图6 旁通回路拓扑结构图2、旁通回路拓扑结构 图6 旁通回路拓扑结构图 如图6所示。 3、IGBT主回路旁通技术 如图7所示： 图 图7 IGBT主回路旁通示意图 三、功率单元板件介绍 1．单元电源板 板件作用： 从功率单元直流母线上取电，输出24V直流电源供单元控制板使用。 板件接口： 输入接口：接功率单元正、负直流母线 输出接口：24VDC输出，接单元控制板 2．单元控制板 板件作用： 接收主控系统信号，给驱动板提供控制信号； 进行实时故障监测，向主控系统上报故障信息； 给单元驱动板供电。 板件接口： 光纤接口：与主控系统进行通信； 24V电源输入接口：与电源板连接； 驱动信号（Top1、Top2、/Lock）接口：与驱动板连接； 15V电源输出接口：与驱动板连接，为驱动板供电； 过压、欠压检测接口：与单元正负母线连接； 缺相检测接口：接熔断器辅助开关； 过热检测接口：接温度检测开关； 上电可控硅驱动信号接口：接上电可控硅门极； 旁通可控硅驱动信号接口：接旁通可控硅门极； 旁通OK信号检测接口：接旁通OK板。 3．单元驱动板 板件作用： 接收单元控制板的控制信号，为单元上的四路IGBT提供驱动信号，同时对驱动故障进行监测，上报单元控制板。 板件接口： 15V电源输入接口：接单元控制板； 输入信号（Top1、Top2、/Lock）：接单元控制板； 输出信号（ERRout）：接单元控制板； 输出信号（TOP1、BOT1、TOP2、BOT2路IGBT驱 动信号）：分别接TOP1 、BOT1、TOP2、BOT2路IGBT的C、G、E极。 4．旁通OK板 板件作用： 在单元控制板发出旁通信号以后，对旁通回路进行检测，检测信号输入单元控制板。 板件接口： 输入接口：接旁通可控硅A、K极； 输出接口：接单元控制板。 第二部分 功率单元常见故障分析 现对功率单元部分的主要故障及其对策介绍如下： 一、单元驱动故障 （一）检测目的 防止单元在驱动电路有故障