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S.J.T.U. 上海交通大学 内部存储器 陆海宁 hnlu@sjtu.edu.cn S.J.T.U. 存储器位元操作 S.J.T.U. 半导体存储器类型 存储器类型 种类 可擦除性 写机制 易失性 随机存储器(RAM) 读-写存储器 电，字节级 电 易失 只读存储器(ROM) 只读 存储器 不能 掩模 不易失 可编程ROM (PROM) 电 可擦PROM(EPROM) 读多次 存储器 紫外线，字节级 电可擦PROM(EEPROM) 电，字节级 快闪存储器 电，块级 S.J.T.U. 半导体存储器 RAM (Random Access Memory) 本节所述的所有半导体存储器都是随机存取的 读/写 易失性 暂时存储 DRAM/SRAM S.J.T.U. 动态RAM 用电容充电来存储数据 电容漏电 需要周期充电(刷新) 构造简单，成本较低 速度较慢 用于主存储器 S.J.T.U. 动态RAM位元 S.J.T.U. 静态RAM 通过开关电路存储数据 没有漏电现象 不需要充电(刷新) 更复杂的构造 每位体积较大，成本更高 速度较快 用于Cache S.J.T.U. 静态RAM位元 S.J.T.U. SRAM vs. DRAM 都是易失的 需要持续供电 动态 结构简单，体积较小 密度更高 成本更低 需要刷新 适用于大容量存储器 静态 速度更快 适用于Cache S.J.T.U. ROM的类型 在制造过程中固化数据 对于小批量的生产，成本较大 可编程(一次) PROM 使用特殊设备写入 以读为主(Read Mostly) 可擦PROM (EPROM) 通过紫外线擦除 电可擦PROM (EEPROM) 灵活擦写 写入速度较慢 快闪存储器(Flash Memory) 写入速度较快 以块为单位写入 S.J.T.U. 芯片组织 16Mbit的芯片可以组织成1M*16bit 16Mbit的芯片也可以组织成16M*1bit 16Mbit的芯片还可以组织成2048*2048*4 bits的阵列 多条行地址和列地址 S.J.T.U. 典型的16Mbit DRAM (4M * 4) S.J.T.U. 256KB存储器组织 (位扩展) S.J.T.U. 1MB存储器组织 (字位扩展) S.J.T.U. 纠错 硬故障 永久性的损坏 软差错 随机的，非破坏性的 可使用纠错码检测 数据M位，校验码K位，实际存储M+K位 S.J.T.U. 纠错码功能 S.J.T.U. 文氏图(汉明码示例) S.J.T.U. 纠错码 和数据共同存放在存储器中 故障字：两个输入的异或 纠错码/故障字的长度 对于纠错1位 2^K - 1 = M + K M：数据长度s K：纠错码长度 S.J.T.U. 带纠错码的字长增加情况 单纠错 单纠错/双检错 数据位 校验位 增加的百分率 校验位 增加的百分率 8 4 50 5 62.5 16 5 31.25 6 37.5 32 6 18.75 7 21.875 64 7 10.94 8 12.5 128 8 6.25 9 7.03 256 9 3.52 10 3.91 S.J.T.U. 故障字设计 如果故障字全部是0，则表示没有检测到错误 如果故障字仅有1位是1，则表示某一位校验位出错，不需要纠正 如果故障字有多位是1，则故障位的数值就表示出错数据位的位置，将这位取反纠正即可 S.J.T.U. 8位数据单纠错举例 位的位置 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 位的编号 1100 1011 1010 1001 1000 0111 0110 0101 0100 0011 0010 0001 数据位 D8 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 校验位 C8 C4 C2 C1 S.J.T.U. 校验位计算 C1 = D1 ⊕ D2 ⊕ D4 ⊕ D5 ⊕ D7 C2 = D1 ⊕ D3 ⊕ D4 ⊕ D6 ⊕ D7 C4 = D2 ⊕ D3 ⊕ D4 ⊕ D8 C8 = D5 ⊕ D6 ⊕ D7 ⊕ D8 * S.J.T.U. 上海交通大学 *