基于计量学的线边缘粗糙度定义-机械工程学报.PDF

第 43 卷第 1 期 机 械 工 程 学 报 Vol.43 No.1 2007 年 1 月 CHINESE JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERING Jan. 2007 基于计量学的线边缘粗糙度定义* 赵学增 李洪波 褚 巍 肖增文 李 宁 (哈尔滨工业大学机电工程学院 哈尔滨 150001) 摘要：对目前线边缘粗糙度(Line edge roughness，LER) 的研究进行了分类，区分线宽变化率、线的边缘粗糙度和 侧墙(边缘)粗糙度的物理本质。重新给出一个 LER 定义，定义 LER 是由加工工艺和材料本身结构引起的刻线侧墙 的表面形貌微观不规则程度，并分析给出定义的合理性。给出该定义和 ITRS 定义间的换算关系。结合刻线的加 工过程主要发生在刻线的边缘表面，且该加工过程发生于深纳米尺度，给出一种基于原子尺度的 LER 计量模型， 在该模型中分离了材料本质粗糙度。 关键词：纳米计量 临界尺寸 线边缘粗糙度 材料本质粗糙度 扫描电子显微镜(SEM) 原子力显微镜(AFM) 中图分类号：TG84 TH161 TB92 (Advanced metrology advisory group, AMAG)和美国 * 0 前言 国家标准技术研究院(National institute of standards and technology, NIST)也先后开展了以产业界为背 微电子器件制造技术的进步将临界尺寸测量引 景的 LER 研究项目。由于ITRS 对 LER 定义的宽泛 入纳米甚至原子尺度范围。根据国际半导体发展路 性，加之测量条件限制，描述 LER 的参数还不够全 线图[1](International technology roadmap for semi- 面和准确，有关刻线 LER 的解释对每个研究者、甚 conductor, ITRS)2004 版的规划，到 2007 年刻线的 至同一研究者使用不同的仪器而言均有不同，不同 半节距(线宽)将达到 65 nm，相应的边缘粗糙度为 研究者根据自己对 LER 的理解和研究中使用的仪 器定义了不同的 LER ，在目前研究中 LER 已具有线 1.4 nm。根据计量学的要求，相应的测量工具的精 宽变化率、线的边缘粗糙度和侧墙粗糙度等多种含 度至少应为高出一个量级，这样高精度的要求给刻 义，这给微电子器件制造和刻线边缘粗糙度测量的 线相关参数的测量带来了极大困难。目前降低刻线 研究交流带来了较大障碍。因此，分析现有 LER 的 边缘粗糙度已成为集成芯片制造业能否顺利发展的 含义及其测量方法，统一 LER 的定义具有很大的理 关键。有关刻线边缘粗糙度的研究已成为半导体工 论和实际意义。图 1 给出国际半导体设备和材料 业高度关注的问题。 (Semiconductor equipment and materials international, 集成电路在横向和纵向两个方向上的临界尺寸 SEMI)定义的几种刻线参数[7]，以垂直于测量参考平 随着技术进步