铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究鄢-物理学报.PDFVIP

物理学报摇 粤糟贼葬孕澡赠泽援杂蚤灶援摇 灾燥造援远园袁晕燥援远 渊圆园员员冤摇 园远远员园员 铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究鄢 秦希峰 摇 梁摇 毅摇 王凤翔摇 李摇 双摇 付摇 刚摇 季艳菊覮 渊山东建筑大学理学院袁济南摇 圆缘园员园员冤 渊圆园员园年怨月愿 日收到曰圆园员园年怨月员怨 日收到修改稿冤 摇 摇 用猿园园要缘园园噪藻灾能量的铒渊耘则冤离子注入碳化硅渊远匀鄄杂蚤悦冤晶体中袁利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为缘伊 员园员缘 原圆 糟皂 的耘则离子注入远匀鄄杂蚤悦 晶体的平均投影射程砸 和射程离散驻砸 袁将测出的实验值和栽砸陨酝 软件得到的理 责 责 论模拟值进行了比较袁发现砸 的实验值与理论值符合较好袁驻砸 的实验值和理论值差别大一些援 结果表明袁注入剂 责 责 量一定时袁注入能量越高袁晶格损伤程度越高援 员源园园益的高温退火袁可以实现远匀鄄杂蚤悦 的完美再晶化袁但伴随着产生 了耘则原子向表面的外逸出援 关键词院离子注入袁投影射程和射程离散袁退火行为袁卢瑟福背散射技术 孕粤悦杂院远员郾苑圆郾怎躁袁远员郾苑圆郾泽澡袁远员郾苑圆郾悦糟袁愿圆郾愿园郾再糟 摇 摇 耘则掺入杂蚤悦是预期能在室温发出波长为 员郾缘源 滋皂光的材料之一袁科学界一直高度重视对于掺铒 员郾 引 言 杂蚤悦 的员郾缘源滋皂发光的研究援 但是将 耘则 离子掺入 杂蚤悦是很困难的袁由于在杂蚤悦 中杂质的扩散系数很 猿垣 低袁通常采用的热扩散掺杂需要 员愿园园益的高温袁在 由于耘则 波长为员郾缘源滋皂的源枣鄄源枣 发光对应于 现代通讯的通讯窗口袁对于硅基光波导的研究和光 这样的高温下袁杂蚤悦的表面分解和退辐射变得非常 纤通讯的发展具有重要的意义援 自从耘灶灶藻灶等咱员暂报 明显袁因此袁对杂蚤悦一般都是采用离子注入的方式进 道了在耘则离子掺杂半导体材料砷化镓渊郧葬粤泽冤和硅 行选择性掺杂援 近年来袁国内外科研工作者在耘则离 渊杂蚤冤中袁观测到耘则猿垣 的员郾缘源滋皂光致发光以来袁引 子注入碳化硅掺杂的发光研究上做了大量工 起科学界的高度重视袁对耘则离子掺杂半导体材料的 作咱员远要员怨暂 袁取得了一些成就援 这些研究主要集中于耘则 发光做了大量研究工作袁取得了一些重要的研究成 离子注入碳化硅的浓度和退火温度对发光效率的 果咱员要愿暂 袁但在室温下的发光效率还较低袁远没有达到 影响援 随着集成电路芯片的集成密度越来越高袁离 实用技术的需求袁还需要进行进一步的深入研究援 子注入半导体材料中射程分布和退火行为对器件 随着功率器件尧微波器件的不断发展袁传统的 杂蚤材 光电性能的影响非常明显袁研究注入耘则离子的射程 料由于材料本身的性能缺陷袁在这一领域越来越显 分布和退火行为具有重要意义援 本文利用猿园园要缘园园 示出一定的局限性援 碳化硅渊杂蚤悦冤作为第三代宽带 噪藻灾能量的耘则 离子注入远匀鄄杂蚤悦 晶体中袁用卢瑟福 隙半导体材料的代表袁具有带隙宽尧熔点高尧热导率 背散射技术研究其平均投影射程尧射程离散尧损伤 大尧临界击穿电场大和饱和漂移速度大等优异的物