材料科学基础--晶体缺陷2.pptVIP

河北工业大学材料学院 第二章 晶体缺陷crystal defect 位错的应力场 位错周围的点阵发生不同程度的畸变。 位错中心部分畸变程度最为严重，这部分超出了弹性应变范围。 位错中心区以外为弹性畸变区，借助弹性连续介质模型可讨论位错的弹性性质。 2-4 位错的弹性性质 应力和应变分量 螺型位错的应力场 刃型位错的应力场 位错的应变能和线张力 符号规定 ?ij表示作用在垂直于i轴的面上，指向j轴方向的应力分量； ?ij表示作用在垂直于i轴的面上，指向j轴方向的应变分量； 正面（右、前、上面）上的应力，与座标轴正向一直为正，负面（左、后、下面）上的应力，与座标轴负向一致为正。 正应变以伸长为正，切应变以直角变锐角为正。 由于单元体很小，作用于两侧的应力变化可以忽略不计 例如，前后两面应力分量对应相等； 根据力偶平衡条件 所以，独立的应力分量只有6个 应变分量也有9个，6个独立。 螺型位错的应力场 只有切应力分量 径向对称，与角度无关 沿位错线长度方向保持不变，与z无关 应力分量与b成正比，与r成反比 公式不能用于位错中心区，r?0 不同位置应力的方向 在柱坐标中的应力场 当位错线//z轴, 半原子面位于+y 滑移面xoz面 刃型位错应力场特点 应力分量与b成正比，与r成反比（同螺型位错），中心区不适用 沿位错线长度方向无变化（同螺型位错） 相对于半原子面，应力场镜面对称 滑移面上没有正应力；而在45°方向没有切应力 （4）位错的应变能和线张力 位错线周围原子偏离平衡位置，晶格产生畸变，导致能量提高。这部分额外的能量称为位错的应变能 包括位错中心区的能量（占总能量的1/10~1/15）和中心区以外（弹性区）的能量 中心区的能量不易计算。 单位长度螺型位错应变能 根据弹性理论，单位体积弹性体的应变能等于产生位错时所作的功 在滑移面上1·dr内平均力， 形成位错时，位移等于b，总功 单位长度刃型位错应变能 在滑移面上 y=0 同理，在滑移面上1·dx内平均力， 形成位错时，位移等于b，总功 混合位错 若b与位错线方向夹角为? 只要将b分解为纯刃型位错分量bsin ?和纯刃型位错分量bcos ?两个分量，分别计算，就可以得到 位错能量的一般公式 一般地，单位长度位错线的能量 系数与位错类型有关。在0.5~1之间。 单位长度位错能量?b2,实际晶体中只有b较短的位错才是稳定的，滑移方向一般是密排方向。 位错的线张力 位错的能量正比于长度，所以晶体中的位错会尽量缩短长度，以降低能量。 取位错线张力数值上等于单位长度位错线的能量，作用在位错线的切线方向，力图缩短位错线的长度。 若要弯曲位错线，需要附加的外力 弯曲位错需要的力 考虑水平力分量 f = T·sin(dq/2) ≈ T·dq/2 Sf = 2f ≈ T·dq = T·ds/R 若单位长度位错线受力为F，在平衡时， Fds=T·dq F=T/ R 位错是不稳定缺陷 位错使晶体的内能提高，但是熵增十分有限，不稳定缺陷 通过估算得出，因应变能而引起系统自由能的增加，远大于熵增加而引起系统自由能的减小。故位错与空位不同，它在热力学上是不稳定的。 2-5 位错的运动 位错有两种运动方式 滑移：位错线在滑移面上的运动。 位错线是已滑移区与未滑移区的边界线。 外加切应力使位错线移动，已滑移区扩大，当位错扫过整个滑移面滑出晶体，滑移面两侧晶体相对移动b； 位错移动时，在经过的区域晶体相对运动b 攀移：位错线在垂直于滑移面上的运动，为半原子面的扩大或缩小。 只有刃型位错才能发生攀移。 假设，位错线dl,向任意方向移动ds,扫过的面积为 晶体体积变化 滑移时，体积不变，保守运动； 攀移时，体积变化，非保守运动 （1）位错的攀移运动 攀移的晶格阻力 攀移伴随着体积的变化；如半原子面扩大时，伴随着产生点缺陷。单位长度位错线攀移dy距离，体积膨胀1 dy b,产生bdy/b3个点缺陷，攀移阻力F阻满足 空位形成能～Gb3/5,间隙原子形成能～3Gb3/5 ，阻力～G/5, 攀移阻力接近理论强度 攀移的驱动力 驱动力包括垂直于半原子面的正应力及点缺陷浓度变化引起的化学力； 攀移和点缺陷的运动分不开，只发生在较高温度下。 在室温，在应力的作用下可以认为攀移是不可能的。 正应力的作用 垂直于半原子面方向的压应力可使半原子面缩小，拉应力使半原子面扩大； 单位长度位错线，移动dy距离，体积膨胀1 b dy，外力做功 设单位长度位错线受力为F,移动dy距离需要作功F dy 令两者相等，可得 化学力 位错是点缺陷的源泉和陷阱，由非平衡浓度点缺陷产生的攀移力称为化学力或渗透力。 在一定温度下，若平衡、实际空位浓度分别是C0、C，空位化学位 化学力 单位长度正刃型位错线移