动作电位的离子基础.pptVIP

The third section of Chapter 2— The Ionic Basis of Action Potentials Instructor: Xingpeng Xiao Tel Email:1657608230@ The third section of Chapter 2— The Ionic Basis of Action Potentials 1 Overview 静息电位（resting potential,RP）:是指未受刺激时神经元膜 内外两侧的电位差。 在所测量过的神经元（neuron）中，RP 大都在-30~ -90 mV之间。 极化（polarization）:神经元（neuron）膜两侧内负外正的 带电状态称为极化。 RP 代表了神经元膜的一种电学极化状态。 -60 RP 0 (mV) 30 Nomenclatures: depolarization、hyperpolarization、repolarization （去极化） （超极化） （复极化） depolarization hyperpolarization repolarization ion transporters and ion channels 2 Action potential Meaning of AP 是神经元在静息电位（RP）基础上，受到刺激后膜电位 所发生的快速翻转和复原过程。 Action potential form and nomenclatures Spike potential Localized potential ADP AHP Components of AP 局部电位（Localized potential） 锋电位（Spike potential 后电位（after-spike potential） Process of AP 上升相（Rising phase） 超射相（Overshoot phase） 下降相（Falling phase） 低射相（Undershoot phase） 去极化后电位 (afterdepolarization,ADP) 超极化后电位 (afterhyperpolarization,AHP) Differences between localized potential and action potential Threshold Localized potentials RP localized potential action potential 等级性 “全或无”现象 电紧张性扩布 全幅式传导性 总和性 不可叠加性 Ion mechanism of action potential （1）Ion mechanism of localized potential 局部电位的类型不同，其离子 机制也各异。电刺激引起的局 部电位：电刺激→去极化的电 紧张电位→激活少量的电压门 控Na+通道，在浓度差和电位 差的作用下，少量Na+内流， 引起进一步去极化反应，然而 PNaPK , Na+内流产生的电位 变化只能叠加在电紧张电位之 中，成为局部电位。 （2） Ion mechanism of spike potential 在锋电位的上升支，电压门控Na+通道的激活是再生性的，也就是电压门控Na+ 通道的开放与膜电位的去极化之间形成了正反馈的过程。第一阶段的局部电位 引起去极化的幅度加大，由于Na+通道的电压门控特性，所以加大的去极化又反 过来激活更多的Na+通道，导致更 大量的Na+内流。一方面Na+受电位 差和浓度差共同驱动，另一方面又 存在正反馈作用，使得锋电位的上 升支呈现了极快的动力学特性。 由于Na+通道的失活，以及上升支的 去极化导致大量电压门控K+通道开放， 锋电位的上升支达到顶点后不会维持 最大的超极化电位水平。 在锋电位的下降支，早期由于电压差