衬底温度对共溅射制备犃犣犗薄膜光电性能影响-压电与声光.PDFVIP

第 卷第 期 压 电 与 声 光 ４０ ５ Ｖｏｌ．４０Ｎｏ．５ 　 　 　 　 年 月 ２０１８ １０ ＰＩＥＺＯＥＬＥＣＴＲＩＣＳ＆ＡＣＯＵＳＴＯＯＰＴＩＣＳ Ｏｃｔ．２０１８ 文章编号： （ ） １００４２４７４２０１８０５０７８４０５ 　　 衬底温度对共溅射制备犃犣犗薄膜光电性能影响 ， １２ １ １ １ 何双赐 ，钟志成 ，汪竞阳 ，魏彦锋 （ 湖北文理学院 物理与电子工程学院，湖北 襄阳 ； 武汉科技大学 材料与冶金学院，湖北 武汉 ） １． ４４１０５３２． ４３００８１ 摘 要：以 金属和 陶瓷作为溅射靶材，采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备 Ａｌ ＺｎＯ Ａｌ 　　 　 掺杂 （ ）透明导电薄膜，采用 线光电子能谱仪、 线衍射（ ）仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、紫 ＺｎＯＡＺＯ Ｘ Ｘ ＸＲＤ 外 可见分光光度计和霍耳效应测试仪对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行了表征和分析，探究了不同衬底温  度对薄膜光电性能的影响。结果表明，所制备的 薄膜均具有 轴取向生长的六角纤锌矿结构，在衬底温度为 ＡＺＯ 犮 时 薄膜结晶质量最好，电阻率最低（为 －３ · ）。所有样品薄膜在 区间平均 ３００℃ ＡＺＯ １．４３×１０ ｃｍ ３８０ ７８０ｎｍ Ω ～ 透过率大于 ，随着衬底温度的升高， 薄膜的吸收边出现了蓝移。 ９０％ ＡＺＯ 关键词： 掺杂 （ ）薄膜；共溅射；衬底温度；光电性能；蓝移 Ａｌ ＺｎＯＡＺＯ 中图分类号： 文献标识码： ： ／ ＴＮ３０４．２ Ａ 犇犗犐１０．１１９７７ ．ｉｓｓｎ．１００４２４７４．２０１８．０５．０３１ 　　　 　　　 ｊ 犈犳犳犲犮狋狅犳犛狌犫狊狋狉犪狋犲犜犲犿 犲狉犪狋狌狉犲狅狀犘犺狅狋狅犲犾犲犮狋狉犻犮犘狉狅犲狉狋犻犲狊狅犳犕犪狀犲狋狉狅狀 狆 狆 犵 犆狅狊狌狋狋犲犱犃犣犗犜犺犻狀犉犻犾犿狊 狆 ， １２ １ １