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半导体器件原理
南京大学
2. 光电器件的基本原理
发光二极管及激光二极管:电能转变为光能。
光探测器及太阳能电池:光能(信号)转变为电能(信号)。
半导体器件原理
南京大学
(一)基本概念
光的吸收(光探测器及太阳能电池) :
半导体器件原理
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光的吸收率=自发辐射率+受激辐射率
较高的光子能密度(共振腔)。
高能级态上电子密度高于低能态(粒子数翻转)。
自发辐射(LED)及受激辐射(LD)。
半导体器件原理
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吸收系数
截止波长:C=1.24/Eg m
吸收带边
半导体器件原理
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三个步骤
(1)入射光产生载流子。
(2)载流子的输运或电流增益所引起的放大效应。
(3)电流与外电路的互作用产生输出信号。
应用:光隔离器中的红外传感器及光纤通信中的探测器。
要求:高灵敏度,高响应速度,低噪声。体积小,低电压或低电流,稳定,可靠。
(二)光电探测器
半导体器件原理
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1. 一般光电探测器
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半导体器件原理
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半导体器件原理
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2. 电导型探测器
本征跃迁或非本征跃迁产生电子空穴对,使电导增加。
增益可达标106。
小的电极间距及高电场.
一般应用于若干m以上波长的红外探测。
半导体器件原理
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3. 光电二极管
反向偏压下,电子空穴对被耗尽层所隔开而流向外电路。
对高频工作,耗尽层必须较薄以减小传输时间。
提高量子又要求较大的耗尽层厚度以增加光的吸收率。
1)量子效率
2)响应速度:
a:载流子的扩散;b:耗尽层中的漂移时间;c:耗尽层的电容。
耗尽层厚度必须优化,以获得较小的RC时间常数,小的传输时间以及较大的吸收。
半导体器件原理
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3)PIN 光电管
耗尽层厚度或本征层厚度, 优化量子效率和频率响应
半导体器件原理
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耗尽层厚度或本征层厚度, 优化量子效率和频率响应
半导体器件原理
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4)金属半导体光电管
紫外及可见区,半导体吸收系数较大,金属须较薄。
5)异质结光电管
大带隙的半导体材料作为窗口,量子效率不大依赖于结距表面的距离。
在某一响应波长,量子效率与响应速度可得到优化。
晶格必须匹配。
半导体器件原理
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(6)雪崩光电管(APD)
工作在足够大的反向偏压下,发生了雪崩倍增效应。
保护环使N+P结发生均匀击穿
噪声系数F:是 的函数。
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(7)紫外探测器
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(8) 太阳能电池
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太阳能电池
实际的转化效率约为一半
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太阳能电池
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太阳能电池
电能转换效率小于量子效率
量子效率依赖于吸收系数和扩散系数, 好的太阳能电池要求较大的扩散系数.,以利于光生载流子的收集最大化
表面处产生的载流子会在表面复合,不对光电流产生贡献,而光的透入深度等于吸收系数的倒数,短波长较小的透入深度导致较大的损失.
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(三).
半导体器件原理
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1. 正偏结的自发辐射
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GaAsP体系的禁带宽度 等电子陷阱
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异质结构的匹配
半导体器件原理
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2.2 LED 分类及用途
光传输用LED:用于短中距离传输系统光源
显示用LED:仪器与使用者之间的信息联系。
蓝光LED和白光LED 彩色显示
半导体器件原理
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1. 结构:面发光型,边发光型
半导体器件原理
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2. 应用:
1)。光隔离器(光耦合器):以光的速度传输,但在输出与输入之间没有电的反馈,是电隔离的)。
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2)。光纤传输:光纤是光频率下的波导管(红外LED)。
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自发辐射
半导体器件原理
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Burrus型LED
边缘发射二极管中波导特性
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边缘发射二极管
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尺寸小,易高频调制,应用于光纤通讯,视频记录,光阅读,高速激光打印。
(四)
半导体器件原理
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光增益
光反馈
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半导体器件原理
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激光器=增益+反馈
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半导体器件原理
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限制效应的增强结构
缓变折射率分别限制异质结构 多量子阱结构
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边缘发射激光器
垂直发射激光器
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分布反馈激光器
通过波导层中折射率的周期变化来实现产生激光的必要反馈。
发射光波长具有很弱的温度依赖性(较小的温度系数)
应用于集成光学系统
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