数字电子技生术基础第二章 门电路.pptVIP

第二章 门电路 2.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 获得高、低电平的基本原理 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 2.2半导体二极管和三极管的开关特性 2.3 最简单的与、或、非门 2.3.1 二极管与门 2.3.2 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 2.4.3其他类型的TTL门电路 一、其他逻辑功能的门电路 1. 与非门 2. 或非门 4. 异或门 二、集电极开路的门电路（OC门） 1、推拉式输出电路结构的局限性 ①输出电平总局限于VCC以下； ②输出端不能并联使用； ③驱动电流小（尤其是高电平输出时）。 2、OC门结构 3. OC门实现的线与 OC门小结： 三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS） 总之：1. Y有三种输出状态：高电平、低电平、高阻；2. EN 代表高电平有效， EN’代表低电平有效。 三态门的用途 一、高速系列74H/54H （High-Speed TTL） 改进措施 (1)输出级采用达林顿管（减小输出电阻Ro） (2)减小各电阻值近一倍 二、肖特基系列74S/54S（Schottky TTL） 改进措施 减小电阻值的同时采用抗饱和 的肖特基三极管 三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL） 2.4.5 CMOS反相器的电路结构和工作原理 1. 电路结构 2. 电压、电流传输特性 3. 输入噪声容限 4. 输入特性 2.4V 0.4V 2.0V 0.8V 噪声容限总结： 同一系列的门电路，允许输入的高低电平范围，一定大于输出的高低电平范围； VOH(min) 、 VOL(max) 、 VIH(min) 、 VIL(max)由手册给出； 噪声容限越大，抗干扰能力越强。 四、输入特性 输入电压和输入电流之间的关系曲线 vI (a)电路图 （b）输入特性曲线 两个重要参数： (1)当VI = VI L= 0.2V时 iI = –(VCC – VBE1 –0.2)/R1 = –(5 – 0.7 – 0.2)/4 ≈ – 1mA 负号表示电流从输入端流出。特殊地，当VI = 0V 时，称输入短路电流IIS ，约为 – 1mA。 (2)当VI = VI H= 3.4V时　　 当输入为高电平时，VT1的发射结反偏，集电结正偏，处于倒置工作状态，倒置工作的三极管电流放大系数β反很小(约在0.01以下)，所以 iI = IIH =β反 iB2 称高电平输入电流IIH，约40μA左右， 五、输出特性 指输出电压与输出电流之间的关系曲线。 　　 a. 输出高电平时的输出特性 负载电流iL不可过大，否则输出高电平会降低。 （a）电路 （b）输出高电平时的输出特性 拉电流负载 负载电流iL不可过大，否则输出低电平会升高。 b. 输出低电平时的输出特性 灌电流负载 （a）电路 （b）特性曲线 （a）测试电路 （b）输入负载特性曲线 　　TTL反相器的输入端对地接上电阻RI 时，vI随RI 的变化而变化的关系曲线。 六、输入端负载特性 vI vI 　　在一定范围内，vI随RI的增大而升高。但当输入电压vI达到1.4V以后，vB1 = 2.1V，RI增大，由于vB1不变，故vI = 1.4V也不变。这时VT2和VT4饱和导通，输出为低电平。 虚框内为TTL反相器的部分内部电路 vI vO vI RI 不大不小时，工作在线性区或转折区。 RI 较小时，关门，输出高电平； RI 较大时，开门，输出低电平； ROFF RON RI→ ∞悬空时？ vI 　　(1) 关门电阻ROFF —— 在保证门电路输出为额定高电平的条件下，所允许RI 的最大值称为关门电阻。典型的TTL门电路ROFF≈ 0.7kΩ。 　　 　　(2) 开门电阻RON—— 在保证门电路输出为额定低电平的条件下，所允许RI 的最小值称为开门电阻。典型的TTL门电路RON≈ 3kΩ。 　　数字电路中要求输入负载电阻RI ≥ RON或RI ≤ ROFF ，否则输入信号将不在高低电平范围内。 2.4.2 TTL反相器的动态特性 现象： 1.输出相对输入有 时间延迟，且tPLHtPHL； 2.波形变差。 原因： 三极管