数字电子电路课件第石7章 半导体存储器7.1.pptVIP

* 7.1 概 述 7.1.1 半导体存储器的特点与应用 特点： 集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围电路简单且易于接口、便于自动化批量生产。 应用： 主要用于电子计算机和某些数字系统中，用来存放程序、数据、资料等。 7.1.2 半导体存储器的特点与应用 1. 按制造工艺分： 双极型： MOS型： 具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。 主要用于对速度要求较高的场合。 具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。 主要用于大容量存储系统中。 2. 按存取方式分： 对信息的存取（存入或取出）是按顺序进行的。有先入先出、先入后出的特点。 可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。 分 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 信息只能读出，不能写入。信息被事先固化到存储器内，可以长期保留，断电也不丢失。 顺序存取存储器 SAM： 随机存取存储器 RAM： 只读存储器 ROM： 7.1.3 半导体存储器的主要技术指标 1. 存储容量 指存储器所能存放信息的多少。存储容量越大，存储的信息越多。 2. 存取时间 存储器的存取时间一般用读或写周期来描述。读或写周期短，存取时间短，存储器的工作速度就高。 组成顺序存取存储器，即按顺序读、取信息。 7.2.3 动态移位寄存器 图7-2-4 1024×8位FIFO型SAM ≥1 1024 位动态移存器 O0 I0 ≥1 O7 I7 ≥1 O1 I1 G1 1024 位动态移存器 1024 位动态移存器 CP CP CP CP CP CP 写/ 循环 片选 读 G40 G41 G47 G20 G21 G27 G37 G31 G30 先入先出型： 先入后出型： I / O 控制电路 CP R/W m 位双向移存器 Qm－1 SL/SR Q0 CP EN △ 1 EN △ 1 G1 G2 I/O0 m 位双向移存器 Qm－1 SL/SR Q0 CP EN △ 1 EN △ 1 G1 G2 I/O3 图7-2-5 m×4位FILO型SAM 7.3 随机存取存储器（RAM ） 随机存取存储器，又叫 读 / 写存储器，简称RAM。它可以随时按指定的地址对存储单元读出或写入数据。 优点： 读 / 写方便，使用灵活。 缺点： 一旦停电，所存的数据便会丢失。 ∴ 不利于数据的长期保存。 7.3.1 RAM结构： 存储矩阵：有很多相同的存储单元组成的二维矩阵。每个存储单元可以存储一位数据，所以存储单元的数目决定了存储器的容量。 地址译码电路：对外部输入的地址进行译码。选中存储矩阵中某一单元，从而对该单元进行读出或写入数据。 读 / 写控制电路：控制存储器各单元的读 / 写操作。 由三部分组成 EN △ 1 EN △ 1 EN △ 1 16,16 1 ,1 1 ,16 16, 1 行 列 位线 位线 T15 T0 T’0 T’15 X行地址译码器 X0 X15 Y0 Y15 Y 列地址译码器 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 存储矩阵 I/O电路 I/O CS R/W D D G1 G2 G3 G4 G5 图7-3-1 256 ×1位RAM示意图 *