第8章存储器与可编程器件hww.pptVIP

8-1 概 述 一.半导体存储器的特点及分类 二. 存储器的技术指标 §2 随机存取存储器( RAM ) 2.1 静态RAM（SRAM） 2.2 SRAM 读写时序 2.3 动态RAM 2.3 动态RAM §3 只读存储器( ROM ) 3.1 固定 ROM结构 腌膜 ROM结构 腌膜 ROM符号、时序 3.2 可编程 PROM 3.3可擦可编程只读存储器EPROM §4 存储器扩展 4.1 位扩展： 4.2 字扩展： 方法：芯片上地址线并联；数据线并联；读写线并联； 扩展地址线经译码器译码后分接各个片选。 * 第八章 存储器与可编程器件 杭州电子科技大学电子信息学院 教材原著：《数字电路》 龚之春 编著 体积小，集成度高等 2.分类： 按制造工艺 按存储原理 双极型 MOS型 静态：存储单元是触发器 动态：电容存储信息 1.特点： 存储容量= n 字(单元数) × m 位 （n个单元m位的二进制信息） 1K=1024 Byte(字节) 1M=1024 K 1G =1024 M 计算机的存储单元称为字节。 这里的存储单元指存放一位0，1的物理器件 1.存储容量：单位（位、字节、字） 存储容量是 ROM 的主要技术指标之一， 它一般用存储字数：2N 输出位数：m 来表示 ( 其中N为存储器的地址线数 )。 读写存储器又称随机存储器。 特点：在工作过程中，既可从存储器的任意单元读出信息，又可以把外界信息写入任意单元，因此它被称为随机存储器，简称 RAM 。 Random Access Memory . . . RAM 按功能可分为 静态、动态两类； RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。 可随意读写数据 1、写 2、读 电容存储电荷 刷新 特点： 存储容量大 功耗大 需要刷新电路 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 Read Only Memory . . . 腌膜 ROM ： MROM 可编程ROM：PROM OTP 紫外线可擦写可编程：EPROM 电可擦除可编程：EEPROM (E2PROM) 闪烁存储器： FLASH ROM 串行电可擦除可编程：SE2PROM ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出及控制电路三部分组成。 地址译码器 存 储 矩 阵 N?M 输出及控制电路 地址输入 . . . . . . 数据输出 位线输出为： 发射极和位线连通者为存1 否则存0 栅极和字线相连的单元相当于存0 而断开的单元为存1 但位线信号经反相放大后输出， 故掩模图案与前面相当 出厂时熔丝全部完好，相当于存数为全1 0 有效 1 有效 PROM编程举例： 烧程序 该位存数 为1 该位存数 为0 按照编程表中各位数据d3～d0, 将它们加到PROM的各位的输出端，加入编程脉冲 （R/W＝0），写入数据dn，使相连的熔丝烧断或保留 PROM 中的内容只能写一次，有时仍嫌不方便，于是又发展了一种可以改写多次的 ROM，简称 EPROM。它所存储的信息可以用紫外线或 X 射线照射檫去，然后又可以重新编制信息。 RAM扩展 地址线并联；读写片选线并联；数据线分组和数据总线相连。 2片扩展： 非门(1/2) 4片： 2/4译码器 8片： 3/8译码器 16片： 4/16译码器 片选译码器 4.3 混合扩展： 例8－1 试将容量为256×4位的SRAM，型号为AM9122，扩展成 512×8位的RAM组合。 256＝28 512＝29 地址线增加1条 数据线增加4条 ROM的扩展（1K*8?2K*16） 字与位都进行了扩展 例8-2 试将容量为1K× 8位的PROM（28L85A）编程为8K× 1 位的ROM，画出必要的连线图，注明地址码的安排。 ROM的应用 实现组合逻辑函数，以及存储数学函数表或某种操作程序 两线 固定 连接 例8-3 试用PROM实现8位B码至BCD码的转换。 例8-4 试用容量为2K× 8位的PROM，构成字长14位的数据产生可控的奇/偶校验码，要求画出连线图，说明工作原理。 11根 3根 0 d0 d0 1 d0 当d14=0时，最终输出奇校验位 当d14=1时，最终输出偶校验位 一个容量为64K×16位的EPROM，可以存储汉字4096个， 而地址码需16位，输出数据线需16条