光电检测技术第三章光电检测器件.pptVIP

再 见！ * 光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示 在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。 当光照增加时，光电流IΦ与光照度成正比关系。 光敏二极管的反向偏置接法 UO + — 光照 光电检测器件 2、基本特性 ①光谱特性 波长超过一定值时-光子能量小，不足以激发电子-空穴对，灵敏度下降； 波长小于一定值时-光子在表面就被吸收，透入深度小，电子空穴不能达到PN结，灵敏度下降。 光电检测器件 ②伏安特性 光敏三极管的伏安特性 硅光电三极管的光电流在毫安量级，硅光电二极管的光电流在微安量级。 在零偏压时硅光电三极管没有光电流输出，但硅光电二极管有光电流输出。 工作电压较低时输出电流有非线性，硅光电三极管的非线性更严重。（因为放大倍数与工作电压有关） 在一定的偏压下，硅光电三极管的伏安曲线在低照度时间隔较均匀，在高照度时曲线越来越密. 光电检测器件 ③光照特性 光电三极管与光电二极管相比，具有较高的输出光电流，但线性差 线性差主要是由电流放大倍数?的非线性所致 在大照度时，光敏三极管不能作线性转换元件，但可以作开关元件使用。管不能作线性转换元件，但可以作开关元件使用。 光电三极管的光照特性 光电检测器件 ④温度特性 暗电流及光电流与温度的关系 温度特性反映了光敏三极管的暗电流及光电流与温度的关系。 温度变化对光电流和暗电流都有影响，对暗电流的影响更大。 精密测量时，应采取温度补偿措施，否则将会导致输出误差。 光电三极管的光电流和暗电流受温度影响比光电二极管大得多 光电检测器件 光电检测器件 ⑤频率响应 与本身的物理结构、工作状态、负载以及入射波波长有关。 光敏三极管的（调制）频率特性 光敏三极管的频率特性受负载电阻的影响，减小负载电阻可以提高频率响应。 一般来说，光敏三极管的频率响应比光敏二极管差。 对于锗管，入射光的调制频率要求在5000Hz以下，硅管的频率响应要比锗管好。 2CU型硅光电二极管参数 参数 型号 光谱响应范围 光谱峰值波长 最高工作电压 暗电流 光电流 灵敏度 响应时间 结电容 使用温度 2CU1A 400～1100 860～900 10 0.2 80 ≥0.5 10-7 5 -55~ +125 光电检测器件 3、光敏二极管的类型 P-N结型、PIN结型、雪崩型和肖特基结型，其中用得最多的是P-N结型，价格便宜。 通常来讲，掺杂不同、厚度不同、面积不同，类型不同。 下面介绍几种常见的光敏二级管： ①点接触光敏二级管 光电检测器件 ②扩散型P-N结光敏二级管 扩散层耗尽层 对光生电流的贡献主要是扩散流而非漂移流； 频率响应不如耗尽层型。 ③耗尽层型 耗尽层大于两侧中任一扩散过的厚度 优点：光电转换区域主要在耗尽层内，光电流主要由漂移电流引起的，载流子运动快，运动时间短，频率响应高。 光电检测器件 ④PIN结型光电二级管 在PN之间夹着一层 相对很厚的本征半导体， 内电场基本全集中于I中。 间距加大、电容变小， 时间常数变小，频带宽度 增大。另一个特点是在反 偏下运用可承受比较高的电压，线性输出范围宽，提高了灵敏度。 不足是电阻大，输出电流相对小，因此通常将PIN和前置放大器集成在一起出售。 选择一定厚度的i层，具有高速响应特性。 i层所起的作用: (1)为了取得较大的PN结击穿电压，必须选择高电阻率的基体材料，这样势必增加了串联电阻，使时间常数增大，影响管子的频率响应。 而i层的存在，使击穿电压不再受到基体材料的限制，从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压，还减少了串联电阻和时间常数。 (2)反偏下，耗尽层较无i层时要大得多，从而使结电容下降，提高了频率响应。 PIN管的最大特点是 频带宽，可达10GHz。 另一特点是线性输出范围宽。 缺点: 由于I层的存在，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。 光电检测器件 ⑤雪崩光电二级管（APD） 内增益机理 利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的。 工作电压高；约100-200V， 响应速度十分快、带宽可达100GHz，最快的一种 噪声大 APD光敏二极管（雪崩光敏二极管） 硅雪崩光电二极管是采用n+p-πp+型结构的可见光和近红外探测器，它具有高响应度，高信噪比，高响应速度等特点，可广泛应用于微光信号检测、长距离光纤通信、激光测距、激光制导等光电信息传输和光电对抗系统。 GD325