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半导体器件原理 主讲人：蒋玉龙 本部微电子学楼312室Email: yljiang@ 21 第二章 双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 第二章 双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 2.2 电流放大原理1 第二章 双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 第二章 双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 第二章 双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 第二章 双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 第二章 双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.5 频率特性 2.7 开关特性 2.6.4 高频等效电路 2.6 频率特性38 2. 晶体管高频功率增益和最高振荡频率 2.2 最高振荡频率 fm (3) 提高 fm 的措施 ? fT ? ? rbb’ ? ? CTc ? Ajc ? Nc ? ? Le ? (4) fm 与工作点的关系 fT ? 1/Wb2 ? rbb’ ? 1/Wb ? Wb ?, fT? ?d ? , fT? , CTc? re ? ,?e ?,fT? Ic ?,Vcb ?, Wb ?, fT? 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性39 1. 非均匀基区及自建电场 1.1 漂移晶体管杂质分布 ND, NA x 0 Nc Nb Ne ND ? NA x 0 p n+ n? n+ ? ? ? ? xje xjc 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性40 1. 非均匀基区及自建电场 1.2 基区自建电场 近似 ? 忽略 E阻滞 ? 均匀电场 ? Nb(x) 指数分布 考虑自建场 Eb(x) 后 令 Jpb = 0（为什么？） 若假设 Nb(x) 为指数分布 ? Eb(x) = 常数 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性41 1. 非均匀基区及自建电场 1.2 基区自建电场 若 Nb(x) 为指数分布 基区电场因子 ? ? = 0 均匀基区 ? ? ? Eb ? x 0 p n+ n? Wb ?We Nb (x) Nb (x) ？ 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性42 2. 直流特性 2.1 少子分布与少子电流 (1) Jnb 假设 ? Jvb = 0 ? Jnb(x) = 常数 ? Jnb = 常数 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性43 2. 直流特性 2.1 少子分布与少子电流 边界条件 假设 ? Jre = 0 ? Jne = Jnb 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性44 2. 直流特性 2.1 少子分布与少子电流 问题：定性解释 ? 0 时，少子分布 npb(x) 的形状。为什么不象红虚线？ 边界条件 ? 0 ? Gummel 数 [cm ?2] 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性45 2. 直流特性 2.1 少子分布与少子电流 (2) Jpe ND ? NA x p n+ n? n+ + 0 Wb + + ?We 发射区有自建场 Ee(x) ，类似地 问题：Ee 与 Eb 方向相反，相差 一个“?”号，为什么？ Ee(x)有何作用？ 若为薄发射区，即 We Lpe 时，则 发射区 Gummel 数 (3) Jpc 与均匀基区相同 2.6.5 漂移晶体管 2.6 频率特性46 2. 直流特性 2.2 直流增益 ?0 ?0 (1) ? (2) ?* = 1 ? 更高级近