光电器件----CCD原理 内容资料.pptVIP

光电器件----CCD原理 ;1969年秋，美国贝尔实验室受到磁泡即圆柱形磁畴器件的启示，提出了CCD的概念。;CCD的发明者;CCD：它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并借助于计算机的处理手段，根据需要和想像来修改图像。; 1.CCD的物理基础——MIS结构 CCD是由按照一定规律紧密排列起来的金属---绝缘体---半导体(MIS)电容阵列组成的。;类似于金属一绝缘体一金属(MIM)平行板电容器， 在MIM电容器的两个金属极板上施加电压时，充电电荷分布在紧靠绝缘体的金属极板的原子层厚度内，其电压全部降落在绝缘体内。; 同时在半导体中有两种极性不同的载流子—电子和空穴，而且其浓度相差很大(如在硅中，多子和少子浓度相差 1010倍) 在MIS电容器上施加极性相反的电压时，半导体表面电荷层各处的电荷极性、分布和厚度大不相同。;若给MIS电容器上施加一正向电压(VG)，则金属极板上带正电荷，半导体上带负电荷，在它们之间的绝缘层(氧化层)上将建立起电场(EI)，但是因为半导体中的自由载流子密度远远小于金属的自由电子密度。;对可见光CCD是以硅为基体材料的，绝缘体就是硅的氧化物，所以称为MOS电容结构。;一、MOS电容的热平衡态特性;实际上表面常常不可避免的有电荷吸附，在MOS结构中，半导体与绝缘体的交界面上也由于晶格结构不连续而出现局域化电子能级，因而带有一定电荷。; 如果界面上以及氧化层内总的有效电荷为负电荷，它的电场将排斥电子吸引空穴，接近表面的电子能量增大（如图） ，表面处能带向上弯曲，近表面处空穴浓度增大。 也就是表面层内积累了相当数量的空穴来中和表面上的负电荷，所以表面层称做“积累层”。 ; 能带弯曲的结果是使表面层剩下的负的受主离子及少量电子来中和表面上的正电荷。 在这一表面层内，载流子都被电场驱开，通常称为“耗尽层”或“空间电荷层”，能带弯曲部分的深度就是耗尽层厚度(W)。; 通常以体内的Ei为电势的零???，在表面上Ei相对于Ei的位置称为表面势(Vb)。能带向上弯曲表面势为负，能带向下弯曲表面势为正。;二、MOS电容的非平衡态特性; 图MOS电容在外加电压下， 表面附近的能带结构 (a)电压刚加上去的一瞬间；;这时降落在绝缘层的电压增加，而降落在半导体空间电荷层的电压则降低。; 在电子填充势阱的过程中，势阱中能容纳电子的多少取决于势阱的深浅，即表面势的大小，而表面势又取决于栅电压的大小。 ; 从非平衡态的建立到达热平衡所需要的时间(是热激发所产生的电子填满势阱所需的时间)称为存储时间即 T=2τ0NA/ni ;CCD工作主要的基础是非平衡状态，在这个状态下，势阱可用来储留信号电荷，也可以用来使信号电荷从一个势阱转移到相邻的另一个势阱。;我们知道，外加在MOS电容上的电压越高，势阱越深；势阱深度随势阱中电荷量的增加而线性下降。 ;CCD的组成及其工作原理; 电注入机构是由一个输入二极管和一个或几个输入栅构成，它可以将信号电压(电流)转换为势阱中等效的电荷包，即给输入栅施加适当的电压，在其下半导体表面形成一个耗尽层。;这时输入栅下的耗尽层就相当于一个“通道”，受输入信号调制的电荷——信号电荷包就会从输入二极管经过“通道”流入第一个转移栅下所形成的耗尽层(势阱)中，输入栅电压消失，输入过程完成。; 图给出了MOSFET注入方式的结构和时钟波形。 简述一下注入过程：注入部分是一个高掺杂的n+区，构成n+P二极管。输入栅(φin)相当于MOSFET的控制栅，φ1、φ2、…分别为转移栅。第一个转移栅(φ1)即相当于MOSFET的漏。; 当φ1处于高电位时，其下的表面势(Vs)大，所对应的势阱深(图 (b))，如果这时注入二极管n+p结处于正偏，并在输入栅(φin)上施加大于开启电压的正栅压，则电子将通过输入栅下的沟道注入到φ1下的势阱中(图 (c))。 当输入取样结束(图 (d))，φin恢复到低电位，场效应输入管夹断，取样中止。 ;以后每当φ1处于高电位和φin也打开的一段时间内，电荷就相应的注入到φ1下的势阱中。这种输入方式是非线性的，而且引起的噪声较大。 这属于CCD发展初期所采用的注入方式，只作原理性的试验分析用。; 光注入是摄像器件所必须采取的唯一的注入方法。 这时输入二极管由光敏元代替。固体图像器件的光敏元主要有：光电导体、MOS电容器(MOS二极管)、pn结光电二极管和肖特基